Биполярные транзисторы

2T9153АС

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный СВЧ широкополосный
    транзистор с общим эмиттером и балластными резисторами
    в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2T9153АС предназначены для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц
    в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 15 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 390, 840МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥6;
  • КПД коллектора ηК≥40%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ)

UКЭR max 50 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 50 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 4 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 840 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 390 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 3,2 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤40°С (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К);
  3. 3 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения.

Электрические параметры транзисторов 2T9153АС при приемке и поставке

s

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 20 мА 25
- 40 мА 125
- 40 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=4 В - 15 мА 25
- 30 мА 125
- 30 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=2,5 А
2 - - 25

Выходная мощность

PВЫХ f=3901, 6501, 6152, 8402 Мгц, UП=28 В, PВХ≤2,5 Вт, IKнач=2×0,05 А 15 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=3901, 6501, 6152, 8402 Мгц, UП=28 В, PВЫХ=15 Вт, IKнач=2×0,05 А 6 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 40 - % tК≤40

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных кристаллов
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого кристалла транзистора;
    1 - усилитель с рабочей полосой (390-650) МГц;
    2 - усилитель с рабочей полосой (615-840) МГц.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 3 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tC=25 °С - - 12 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=5 МГц, UКЭ=28 В - - 37 пФ

Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 190 - 260 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=28 В, tK≤(50±2) °С, f=840 МГц - - 5 -

Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; Кст Umax при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: не более 15 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме АБ на частотах (390-650) МГц

  • Конденсаторы

    C1,С2,С17,С18 К50-35-47мкФ-63В±20%
    С3,С4,С15,С16 КМ6-0,47мкФ±10%
    С5,C6,С13,С14 К10-57-300пФ±10%
    С7,С8,С11,С12 К10-57-27пФ±10%
    С9*,C10* К10-57-3,3пФ±10%

  • Дроссели

    L1,L2 3 витка провода ПЭВ-2-0,51, внутренний диаметр намотки 2мм±0,12мм

  • Линии СВЧ и элементы
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1:

    W1,W16 l=(20±0,28)мм, h=(3±0,12)мм
    W2,W4 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    W3,W15 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22 с незадействованной центральной жилой
    W4,W5 l=(12±0,24)мм, h=(3±0,12)мм

  • Разъемы

    XS1, XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор
    * - подбирают при регулировании

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 400 МГц

  • Конденсаторы

    C1,С2,С20,С21 К50-35-47мкФ-63В±20%
    С3,С4,С15,С17 КМ6-0,47мкФ±10%
    С5,C7,С12,С14 К10-57-300пФ±10%
    С6 КТ4-25-(1 : 5)пФ
    С8,С9,С18,С19 К10-57-27пФ±10%
    С10 К10-57-18пФ±10%
    С11 К10-57-4,7пФ±10%
    С13 К10-57-3,3пФ±10%
    С16 К10-57-4,7пФ±10%

  • Дроссели

    L1,L2 3 витка провода ПЭВ-2-0,51, внутренний диаметр намотки 2мм±0,12мм

  • Линии СВЧ и элементы
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1:

    W1,W16 l=(20±0,28)мм, h=(3±0,12)мм

    W2,W4 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    W3,W15 l=(60±0,4)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22 с незадействованной центральной жилой
    W4,W5 l=(12±0,24)мм, h=(3±0,12)мм
  • Разъемы

    XS1,XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru