Биполярные транзисторы

2T9153БС

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n генераторный СВЧ широкополосный
    транзистор с общим эмиттером и балластными резисторами
    в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9153БС предназначены для работы в двухтактных
    усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц
    в схеме с общим эмиттером.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 50 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 390, 840 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
  • КПД коллектора ηК≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 ОМ)

UКЭR max 50 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 94 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 10 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 840 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 390 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 1,7 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤40°С (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tK)/RТ П-К);
  3. 3 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора не превышает предельного значения.

Электрические параметры транзисторов 2Т9153БС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 60 мА 25
- 120 мА 125
- 120 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 40 мА 25
- 80 мА 125
- 80 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=3 А
1,6 - - 25

Выходная мощность

PВЫХ f=3901, 6501, 6152, 8402 Мгц, UП=28 В, PВХ≤2,5 Вт, IKнач=2×0,1 А 50 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=3901, 6501, 6152, 8402 МГц, UП=28 В, PВЫХ=15 Вт, IKнач=2×0,1 А 5 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 50 - % tК≤40

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных кристаллов
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого кристалла транзистора;
    1 - усилитель с рабочей полосой (390-650) МГц;
    2 - усилитель с рабочей полосой (615-840) МГц.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 5,5 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IЭ=0,5 А, tC=25 °С - - 15 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=5 МГц, UКЭ=28 В - - 68 пФ

Суммарная емкость эмиттерного перехода и МДП конденсатора

СЭ f=30 МГц, UЭБ=12,5 В, tС=25±10 °С 460 - 610 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=24 В, tK≤(50±2) °С, f=840 МГц - - 5 -

Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; Кст Umax при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: не более 40 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме класса АБ на частотах 390-650 МГц

  • Конденсаторы

    С1, С2 К10-57В-250В-180пФ
    С3, С4 К50-35-63В-47мкФ
    C5, C6 К10-17в-Н90-0,015мкФ
    С7*, C8* К10-57В-250В-24пФ
    C9, C10 К10-17в-Н90-0,015мкФ
    C11* К10-57В-500В-13пФ
    С12, С13 К50-35-63В-47мкФ
    С14, С15 К10-57В-250В-180пФ

  • Дроссели

    L1,L2 ДМ3-1
    L3,...,L6 3 витка ПЭВ2-0,65мм, оправка 4мм
    L7,L8 ДМ3-1

  • Резисторы

    R1,R2,R3,R4 С2-33Н-0,25 15 Ом

  • Коаксиальные линии

    Подложка ФАФ4-2 Н=1мм W1 РК50-1-22 L=75мм
    W2...W5 РК25-1 L=75мм
    W6 РК50-1-22 L=75мм

  • Разъемы

    X1,X2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор
    * - подбирают при регулировке

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК в режиме класса АБ на частоте 615-840 МГц

    • Конденсаторы

      С1,С2,С14,С15 К50-6-5мкФ 50В ±20%
      С3,С4,С12,С13 К10-57-12пФ ±10%
      C5,C6,С9,С10 КДО-2-Н70-68пФ ±20%
      С7*,C11* К10-57-5,1пФ ±10%
      C8 К10-52-10пФ ±10%

    • Дроссели

      L1,L2 ДМ-3-1мкГ ±10%
      L3...L6 3 витка ПЭВ-2 Ф 0,51 5мм±0,16мм
      L7,L8 ДМ-3-1мкГ ±10%

    • Резисторы

      R1,R2,R3,R4 МЛТ-0,25-15 Ом ±10%

    • Линии СВЧ и элементы
      Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ-4-1:

      W1 64мм±0,4мм коаксиального кабеля РК-50-1-23
      W14 64мм±0,4мм коаксиального кабеля РК-25-1
      Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ4-1

  • Разъемы

    XW1,XW2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2

  • VТ - измеряемая транзисторная сборка
    * - подбирают при регулировке

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru