Биполярные транзисторы

2T9155Б

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n СВЧ генераторный транзистор
    с балластными резисторами в цепи эмиттера;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9155Б предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц
    в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 50 Вт;
  • Напряжение питания UП = 28 В;
  • Рабочая частота f = 860 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4,2;
  • КПД коллектора ηК≥40%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RЭБ≤100 Ом)

UКЭR max 50 В 1

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора в непрерывном динамическом режиме

РК, ср max 100 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 15 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tК max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 860 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 150 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 1,4 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 - для всего диапазона рабочих температур при условии, что максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме не превышает предельного значения.

Электрические параметры транзисторов 2Т9155Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 100 мА 25
- 200 мА 125
- 200 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 30 мА 25
- 60 мА 125
- 60 мА -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=10 В,
IK=3 А
4,5 - - 25

Выходная мощность

PВЫХ f=860 Мгц, UП=28 В, PВХ≤11,9 Вт, IKнач=2×0,1 А 50 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=860 МГц, UП=28 В, PВЫХ=50 Вт, IKнач=2×0,1 А 4,2 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 40 - % tК≤40

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных кристаллов
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого кристалла транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=300 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 5,5 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IК=0,5 А, tC=25±10 °С - - 15 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=30 МГц, UП=28 В, tC=25±10 °С - - 60 пФ

Максимально допустимый коэффициент стоячей волны по напряжению

KCT UMAX UП=24 В, tK=40 °С, f=860 МГц - - 3 -

Примечание:

  1. Приведены значения параметра Iкр отдельно для каждого транзистора сборки; КCT UMAX при изменении фазы коэффициента отражения нагрузки в пределах от 0 до 360° при кратковременном рассогласовании (до 3 с) и уровне мощности на согласованной нагрузке: не более 30 Вт.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 860 МГц

  • Конденсаторы

    C1,С2,С20,С21 К50-35-63В-470мкФ
    С3,С4,С18,С19 КМ-6б-Н90-1мкФ(-20%; +80%)
    С5,C6,С13,С15 КМ-5в-М47-5600пФ±10%
    С7,С8 К10-57в-100В-36пФ±10%
    С9 К10-57в-100В(1:1,5)пФ±0,5%
    С10,С12 2/10пФ переменный
    С11 К10-57в-100В-4,7пФ±0,5%
    С14 К10-57в-100В-3,3пФ±0,5%
    С16,C17 К10-57в-500В-100пФ±5%

  • Резисторы

    R1, R2 МЛТ-0,5-15 Ом ±10%

  • Дроссели

    L1,L2 Дроссель высокочастотный ДПМ 2,4-3мкГн
    L3,L4 5 витков провода ПЭВ-2-0,51, внутренний диаметр намотки 4+0,12мм
    L5,L6 Дроссель ДМ-3-1±5%

  • Линии СВЧ и элементы

    W3 l=(70±0,74)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22 с незадействованной жилой
    W4,W5 Несимметричная полосковая линия I=(35±0,62)мм, h=(3±0,12)мм, материал ФАФ4≠1

    W10,W11 I=(50±0,74)мм коаксиального кабеля РК-25-1-23
    W12 I=(47±0,62)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    Несимметричная полосковая линия, материал ФАФ≠1
    W1,W13 I=(6±0,16)мм, h=(3±0,12)мм
    W6,W7 I=(13,5±0,24)мм, h=(4±0,16)мм
    W2 l=(70±0,74)мм коаксиального кабеля РК-50-1,5-22
    W8,W9

  • Разъемы

    XS1,XS2 Переходы коаксиально-полосковые Э2-116/2

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru