Биполярные транзисторы

2T9164АС

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n мощный СВЧ
    импульсный генераторный транзистор с общей базой;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9164АС предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот (1030-1090) МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ, И = 300 Вт;
  • Напряжение питания UП = 50 В;
  • Рабочая частота f = 1030, 1090 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥4;
  • КПД коллектора ηК≥35%;
  • Скважность импульса Q = 10;
  • Длительность импульса τИ = 32 мкс.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база

UКБ max 60 В 1

Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность коллектора

РК, и max 636 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 40 А 3, 4

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 1090 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 1030 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,22 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 - значение IК,и max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы;
  4. 4 - для двух плеч транзистора.

Электрические параметры транзисторов 2Т9164АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКЭR UКЭ=50 В, RЭБ=10 Ом - 60 мА 25

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 40 мА 25

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=300 МГц, UКЭ=10 В,
IK=3 А
2,4 - - 25

Выходная мощность

PВЫХ f=650, 800, 1000 Мгц, UП=28 В, PВХ=12,5 Вт 50 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=650, 800, 1000 МГц, UП=28 В, PВЫХ=15 Вт, KСЖ=1,25 (f=1000 МГц), IKнач=2×0,1 А 4 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 50 - % tК≤40

Разность коллекторных токов кристаллов в транзисторе

ΔIК f=1000 МГц, UП=28 В, PВЫХ=50 Вт - 0,7 А tК≤40

Примечание:

  1. Приведены суммарные значения параметров IКЭR, IЭБО двух параллельно включенных плеч
    транзистора, значение IH21ЭI для каждого плеча транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 11 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IК=1 А, tC=25±10 °С - - 15 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=30 МГц, UКБ=45 В, tC=25±10 °С - - 120 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 1030-1090 МГц

  • Конденсаторы

    С1* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С2,С3 К10-57-500В-6,8 пФ ±1пФ
    С4,С5 К10-17•1в-Н50-0,1 мкФ +50% ОЖО.460.172 ТУ
    С6,С7 К10-57-500В-4,7 пФ ±0,5 пФ
    С8,С9 К10-57-100В-1000 пФ ±10%
    С10,С11 К50-35-63в-2200 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С12* К10-57-500В-2,2 пФ ±0,5пФ

  • Резисторы

    R1,R2 С2-23-0,125-9,1 Ом ±5% ОЖО.467.104 ТУ

  • Индуктивности, дроссели

    L1*,L2*,L5,L6,L7*,L8* провод ПЭВ-2 Ø 0,51 мм, l=35 мм
    L3,L4 3 витка провода ПЭВ-2 Ø 0,51 мм, намотка на резисторы R1,R2 шаг (1±0,1)мм

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,0

    W1,W16 I=(5±0,5) мм, w=(3,2±0,4) мм
    W4,W5 I=2 мм, w=(7,2±0,1) мм
    W6,W7 I=38 мм, w=(7,2±0,1) мм
    W12,W13 I=(38±0,5) мм, w=(7,2±0,1) мм
    W8,W9 I=(15±0,1) мм, w=(28±0,1) мм; материал ФАФ-4Д ≠ 0,5 мм
    W10,W11 I=(12±0,1) мм, w=(28±0,1) мм; материал ФАФ-4Д ≠ 0,5 мм
    W2,W14 (55±0,6) мм жесткого коаксиального кабеля РК50-1,5-22
    W3,W15 (55±0,6) мм жесткого коаксиального кабеля РК50-1,5-22 с незадействованной центральной жилой

  • Разъемы

    XS1, XS2 Переходы коаксиально-полосковые И9М3.562.020

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru