Биполярные транзисторы

2T9195БС

Кремниевый мощный биполярный СВЧ транзистор

Описание

  • Кремниевый n-p-n мощный импульсный СВЧ транзистор
    с внутренними согласующимися цепями по входу;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-44;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2Т9195БС предназначены для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ, И = 500 Вт;
  • Напряжение питания UП = 50 В;
  • Рабочая частота f = 1090 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
  • КПД коллектора ηК≥30%;
  • Скважность импульса Q = 100;
  • Длительность импульса τИ = 10 мкс.

Технические данные

2t9195bs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое обратное постоянное напряжение эмиттер-база

UЭБ max 3 В 1

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-база

UКБ max 60 В 1

Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность коллектора

РК, и max 1272 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

IК max 32 А 3

Максимально допустимая температура p-n перехода

tП max 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 1150 МГц -

Нижняя частота рабочего диапазона

fНД 720 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,11 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK≤60°С (при температуре корпуса от +60°С до +125°С РK, ср max линейно снижается по закону: РK, ср max = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 - значение IК,и max приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2Т9195БС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Обратный ток коллектор-эмиттер

IКБО UКБ=60 В - 50 мА 25
- 100 мА 125
- 100 мА -60

Обратный ток эмиттера

IЭБО UЭБ=3 В - 50 мА 25
- 100 - 125
- 100 - -60

Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте

Ih21ЭI f=100 МГц, UКЭ=10 В,
IK=4,0 А
5 - - 25

Выходная импульсная мощность

PВЫХ,И f= 1090 Мгц, UП=50 В, PВХ≤100 Вт, τИ = 10 мкс, Q=100 500 - Вт tК≤60

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=1090 МГц, UП=50 В, PВЫХ,И=500 Вт, τИ = 10 мкс, Q=100 5 - Вт tК≤60

Коэффициент полезного
действия коллектора

ηК 30 35 % tК≤60

Обратный ток
коллектор-эмиттер

IКЭК UКБ=45 В, RЭБ=0 Ом - 50 мА 25

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Критический ток коллектора

IКР f=100 МГц, UКЭ=10 В, tС=25±10 °С 11 - - А

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте

τК UКБ=5 В, f=5 МГц, IК=1 А, tC=25±10 °С - - 21,5 пс

Емкость коллекторного перехода

СK f=30 МГц, UП=50 В, tC=25±10 °С - 110 145 пФ

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров PВЫХ, КУP, ηК на частоте 1030-1090 МГц

  • Конденсаторы

    С1, С15 К10-57-500В – 3,3пФ0,5пФ ОЖО.460.194ТУ
    С2, С5, С12 К10-57-500В – 10пФ1пФ
    С3, С4 К10-57-500В – 13пФ1пФ
    С10, С11 К10-57-500В – 4,7пФ0,5пФ
    С6, С7 К10-17-1В-Н50 – 0,1мкФ(+50–20)% ОЖО.460.172ТУ
    С8, С9 К10-57-100В – 1000пФ10%
    С13, С14 К50-35-63В-470мкФ ОЖО.464.214ТУ

  • Резисторы

    R1, R2 С2-11-0,125 – 15Ом5% ОЖО. 467.046 ТУ

  • Индуктивности, дроссели

    L2, L3 четыре витка провода ПЭВ-2 0,51мм,внутренний диаметр намотки 3мм
    L1, L4 четыре витка провода ПЭВ-2 0,51мм,внутренний диаметр намотки 3мм

  • Линии полосковые несимметричные, материал ФАФ-4Д-1,0

    W1, W22 w=3,2 мм; l=5 мм;
    W12, W13 w=27 мм; l=8 мм;
    W4, W5 w=8 мм; l=16 мм;
    W14, W15 w=20 мм; l=16 мм;
    W6, W7 w=10 мм; l=16 мм;
    W10, W11 w=27 мм; l=8 мм;
    W8, W9 w=20 мм; l=16 мм;
    W16, W17 w=10 мм; l=16 мм;
    W18, W19 w=8 мм; l=16 мм;
    W2, W20 l=45 мм- жесткий коаксиальный кабель РК50-1-23;
    W3, W21 l=45 мм-жесткий коаксиальный кабель РК50-1-23, с незадействованной центральной жилой.

  • Разъемы

    XS1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XS2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru