Полевые транзисторы

2П9111БС

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Высокие усиление и КПД;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ   - 150 Вт (CW)
  • Коэффициент усиления по мощности КУР   - 16 дБ (мин)
  • КПД стока ηС - 65 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ= 28 В, PВХ ≤ 3,8 Вт,
    tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9111bs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме РСР МАКС 2202) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 143) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК  МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,7 °С/Вт
  1. 1) - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) - при температуре корпуса tK ≤ 25 °С
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤3,8 Вт
150   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 150 Вт
16   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ = 150 Вт
65   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 2,0 A,
UСИ = 10 В
2,1   tC = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)
RСИ ОТК* 0,3 (макс) Ом
Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С11И* 90 (макс) пФ
Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С12И* 2,4 (макс) пФ
Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B ) С22И* 62,5 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 В) IЗ УТ* 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В
Коэффициент шума
( UСИ = 28 B, f = 500 МГц, IС = 200 мA )
КШ 6,2 (макс) дБ

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
 400 0,53 + j 3,75  2,92 + j 2,79 
 500  0,62 + j 2,60 2,44 + j 2,19 
 600  0,63 + j 1,81  2,03 + j 1,74
 700  0,70 + j 1,23  1,71 + j 1,14
 800 0,79 + j 0,61   1,65 + j 0,53
 860  0,75 + j0,32 1,67 + j 0,28 
 900  0,73 + j 0,07  1,71 + j 0,09
 1000  0,73 - j 0,46  1,70 - j 0,53
 1100  0,63 - j 0,84  1,56 - j 0,85
 1200  0,51 - j1,2  1,42 - j1,14
 1300  0,42 - j1,57  1,30 - j1,57
 1400  0,37 - j1,97  1,18 - j2,05
 1500  0,22 - j2,38  1,05 - j2,37

 * импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

 
 
 

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru