Полевые транзисторы

2П9111ВС

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор
    с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Высокие усиление и КПД;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ   - 250 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 65 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 6,3 Вт,
    tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9111vs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме РСР МАКС 3402) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 283) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК  МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,45 °С/Вт
  1. 1) - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) - при температуре корпуса tK ≤ 25 °С;
  3. 3) - значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤6,3 Вт
250   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 250 Вт
15   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ = 250 Вт
65   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 5,0 A,
UСИ = 10 В
3,6   tC = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
  12
60
60
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Значение3) Единица измерения
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC=3,0 A, UЗИ=10 В)
RСИ ОТК* 0,18 (макс) Ом
Входная емкость (f=1 МГц, UСИ=28 B) С11И* 178 (макс) пФ
Проходная емкость (f=1 МГц, UСИ=28 B) С12И* 3,8 (макс) пФ
Выходная емкость (f=1 МГц, UСИ=28 B) С22И* 123,5 (макс) пФ
Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B  ) IЗ УТ * 10 (макс) мкА
Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA ) UЗИ ОТС 1-5 В
Коэффициент шума
( UСИ = 28 B, f = 500 МГц, IС = 400 мA )
КШ 6,2 (макс) дБ

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
 500 1,20 - j 0,89  1,52 - j 0,86

 * импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

 
 
 

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru