Полевые транзисторы

2П9103А

Мощный СВЧ LDMOS линейный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Низкий уровень интермодуляционных искажений;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в аппаратуре
    радиосвязи с высокими требованиями по линейности и
    передающих станциях эфирного телевещания

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО  – 10 Вт;
  • ККоэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 40 % (мин);
  • Коэффициент интермодуляционных искажений
    3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс)
    (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц,
    UСИ = 32 В, PВХ ≤ 0,25 Вт, tk ≤40 °С , класс AB)

Технические данные

2p9103a chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 252) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 1,33) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 6,0 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tК ≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность в пике
огибающей, Вт

РВЫХ ПО f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32В,
РВХ ≤ 0,25 Вт
10   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 10 Вт
16   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 10 Вт
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC=0,6 A,
U=10 В
2,6   tC = 25 °С

Коэффициент
интермодуляционных
искажений 3-го порядка, дБ

М3 f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО =10 Вт
  -25 tk ≤ 40 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 32 В,
UЗИ = 0 В
  2
10
10
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ UСИ = 60 В,
UЗИ = 0 В
  4 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 0,6 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,95 (тип) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С11И 16,5 (тип) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С12И 0,33 (тип) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С22И 10 (тип) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B )

IЗ УТ 0,1 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
860 3,40 + j 4,67 9,16 + j 5,11
1400 2,37 - j 2,01 5,70 + j 1,41
1500 2,18 - j 2,87 5,31 + j 0,93
1600 1,99 - j 4,26 4,89 + j 0,70

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

 
 
 

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru