Полевые транзисторы

2П9103ДС

Мощный СВЧ LDMOS линейный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Низкий уровень интермодуляционных искажений;
  • Внутренняя согласующая цепь по входу;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2

Основное назначение

Транзистор предназначен для работы в аппаратуре
радиосвязи с высокими требованиями по линейности и
передающих станциях эфирного телевещания

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО  – 300 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 40 % (мин);
  • Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка
    М3 - минус 25 дБ (макс)
    (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В,
    PВХ ≤ 7,5 Вт, tk ≤ 40 °С , класс AB)

Технические данные

2p9103ds chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 201) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 601) В
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность в динамическом режиме
РСР МАКС 4702) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 28,03) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,33 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 25°С;
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность в пике
огибающей, Вт

РВЫХ ПО f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВХ ≤ 7,55 Вт
300   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 300 Вт
16   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО = 300 Вт
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC= 5,0 A,
U= 10 В
5,2   tC = 25 °С

Коэффициент
интермодуляционных
искажений 3-го порядка, дБ

М3 f1 = 860 МГц
f2 = 860,1 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ ПО =300 Вт
  -25 tk ≤ 40 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 32 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ* UСИ = 60 В,
UЗИ = 0 В
  20 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5,0 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК* 0,1 (тип) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С11И* 460 (тип) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С12И* 3,5 (тип) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С22И* 95,5 (тип) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B )

IЗ УТ 0,1 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
800 1,91 + j 0,09 0,94 + j 0,19
860 2,08 - j 0,11 0,86 + j 0,09
890 2,24 - j 0,32 0,82 + j 0,03

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru