Полевые транзисторы

2П9110В

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 – 1550 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55-С1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  - 50 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 12 Бд (мин)
  • КПД стока ηС   - 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В,
    τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9110v chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность
РСР И МАКС 1012) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 63) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 1,53 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР).

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная импульсная
мощность, Вт

РВЫХ И f = 1550 МГц, UСИ = 50 В,
τИ  = 3,5 мс,
Q =  10
50   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  50 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
12   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  50 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC = 2 A,
UСИ = 10 В
1,2   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
  8
40
40
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 2 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,9 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С11И 51 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С12И 0,35 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С22И 32 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA )

UЗИ ОТС 1-6 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
860 1,48 + j 1,62 3,22 + j 2,54
1030 1,52 + j 1,47 3,11 + j 1,54
1300 1,52 + j 0,17 1,81 + j 0,81
1550 1,75 - j 1,18 1,22 - j 0,32

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru