Полевые транзисторы

2П9110ЕС

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии
  • Диапазон рабочих частот 1030 – 1550 МГц
  • Напряжение питания 50 В
  • Внутренние согласующие цепи по входу и по выходу
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD)
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ И - 370 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 12 дБ (мин)
  • КПД стока ηС  - 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В,
    τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9110es chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность
РСР И МАКС 7382) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 17,63) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,21 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур
  2. 2) при температуре корпуса t≤ 25 °С
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная импульсная
мощность, Вт

РВЫХ И f = 1550 МГц, UСИ = 50 В,
τИ  = 3,5 мс,
Q =  10
370   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  370 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
12   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 1550 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ=  370 Вт,
τИ = 3,5 мс,
Q = 10
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 5 A,
UСИ = 10 В
4,2   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
  15
75
75
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК* 0,24 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С11И* 285 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С12И* 1,7 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С22И* 845 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ* 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 50 мA )

UЗИ ОТС 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
1030 1,69 - j 3,33 3,70 - j 3,78
1090 1,41 - j 3,59 3,26 - j 3,09
1300 2,03 - j 5,43 2,20 - j 2,19
1400 3,14 - j 7,16 1,84 - j 2,77
1500 4,02 - j 4,72 0,92 - j 3,74
1550 4,15 - j 4,93 0,91 - j 3,92

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru