Полевые транзисторы

2П9110ЖС

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзисторы

  • Габаритный чертёж корпуса

Описание

  • Кремниевый n-канальный балнсный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии
  • Диапазон рабочих частот 1030 – 1550 МГц
  • Напряжение питания 50 В
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2

Основное назначение

  • Транзистор 2П9110ЖС предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей аппаратуре диапазона "Авионика"

Основные характеристики
(Условия измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τи = 3,5 мс, Q = 10)

  • Выходная мощность РВЫХ и - 450 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 12 дБ (мин)
  • КПД стока ηС  - 40 %

Технические данные

2p9110js chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток
UСИ МАКС 100 В
Максимально допустимая импульсная
рассеиваемая мощность
РСР И МАКС 8152) Вт
Максимально допустимый постоянный ток стока IС МАКС 30 А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tК МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,19 °С/Вт

Примечание:

  1. 1) - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) - при температуре корпуса tK≤25°С

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Значение3) Единица измерения
Крутизна характеристики (IC=5 A, U=10 B) S 4,7 (мин) А/В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC=5 A, UЗИ=10 В)
RСИ ОТК 0,17 (тип) Ом
Входная емкость (f=1 МГц, UСИ=50 B) С11И 325 (тип) пФ
Проходная емкость (f=1 МГц, UСИ=50 B) С12И 1,2 (тип) пФ
Выходная емкость (f=1 МГц, UСИ=50 B) С22И 1330 (тип) пФ

Примечание:

  1. 3) - для каждой половины балансного транзистора

394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru