Полевые транзисторы

МУ-200

Высоковольтные модули усилителя мощности МУ-200


Описание

  • Высоковольтные модули усилителя мощности МУ-200
    с пробивным напряжением не менее 800 В
    на базе кремниевого эпитаксиально-планарного полевого n-канального транзистора типа 2П820А-5;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-56;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Основные характеристики

  • Напряжение питания UСИ = 800 В;
  • Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
    RСИ отк = 0,8 Ом;
  • Начальный ток стока IC = 0,1 мА;

Технические данные

Электрические параметры транзисторов МУ-200 при приемке и поставке

Параметр Обозначение Значение Температура, °С
не более не менее

Начальный ток стока, мА
(UСИ = 800 В, UЗИ = 0 В)

IC нач   0,1 25

Ток утечки затвора, мкА
(UЗИ = ± 20 В, UСИ = 0 В)

IЗ ут   0,1 25

Крутизна характеристики, А/В
(UСИ = 30 В, IC = 5 А)

S 5   25

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом
(IС = 2 А, UЗИ = 10 В)

RСТ отк   0,8 25

Напряжение отсечки, В
(UСИ = UЗИ, IC = 10 мА)

UЗИ отс 2,0 4,0  

Импульсный ток стока, А
(UЗИ = 10 В, τи=100 мкс, Q ≥ 200)

IС имп   30  

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Примечания
не более не менее

Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В

UЗИ макс −20 20 tK = 25 °C

Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, В
(Uзи = −10 В)

UСИ макс 720
800
860
  tK= −60 °C
tK = 25 °C
tK = 125 °C

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность, Вт
(с дополнительным теплоотводом)

Pмакс 275   tK=25 °C
2)

Максимально допустимый постоянный ток стока, А

IС макс 12   1)

Максимально допустимая температура перехода, °С

tП макс   160  

Максимально допустимая температура корпуса, °С

tk макс   125  

Минимально допустимая температура окружающей среды, °С

tс min −60    

Максимально допустимый импульсный ток стока, А

IC имп 30    

Примечание:

  1. 1 - значения IС макс приведены для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР);
  2. 2 - при температуре корпуса от +25 °С до +125 °С РМАКС линейно снижается по закону:
    РМАКС = 160 − tК /RТ П-К      (Вт),
  3. где RТ П-К – тепловое сопротивление переход-корпус транзистора, равное:
    RТ П-К = 0,5 °С/Вт.

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru