Полевые транзисторы

2П9115АС

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 - 1090 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Внутренние согласующие цепи по входу и по выходу;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2

Основное назначение

  • ТТранзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И  - 500 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (мин),
    19 дБ (тип)
  • КПД стока ηС  - 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 1090 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 13 мс,
    Q = 3, tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9115as chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное напряжение
сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 100 В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РСР И МАКС 7752) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 313) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К 0,2 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса t≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная импульсная
мощность, Вт

РВЫХ И f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
500   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В, РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
13   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 1090 МГц,
UСИ = 50 В, РВЫХ = 500 Вт,
τИ  = 13 мс,
Q =  3
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 5,0 A,
UСИ = 10 В
4,4   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
  5
15
25
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5,0 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК* 0,24 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С11И* 500 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С12И* 2,0 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С22И* 1500 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ* 10 (макс) мкА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
960 0,60 - j 1,54 3,47 - j 1,76
1000 0,70 - j 1,64 3,29 - j 1,33
1030 0,85 - j 1,70 2,96 - j 0,77
1090 1,25 - j 1,60 2,42 - j 0,44

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru