Полевые транзисторы

2П9116В

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот 1030 - 1090 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Внутренние согласующие цепи по входу и по выходу;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81В-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  И  - 300 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности
    КУР   - 12 дБ (мин), 18 дБ (тип)
  • КПД стока ηС - 40 %
    (режим измерения: f1 = 1030 МГц, f2 = 1090 МГц, UСИ = 50 В,
    τИ = 320 мкс, Q = 50, tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9116v chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РИ МАКС 10002) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 203) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
–60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К И
0,15 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tK ≤ 30°С
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная импульсная
мощность, Вт

РВЫХ И f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ   = 320 мкс,
Q =  50
300   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 300 Вт,
τИ  = 320 мкс,
Q =  50
12   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f1 = 1030 МГц,
f2 = 1090 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 300 Вт,
τИ  = 320 мкс,
Q =  50
40   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC = 5 A,
UСИ = 10 В
4,5   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,23 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С11И 440 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С12И 3,4 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С22И 1830 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ 10 (макс) мкА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-6 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
1030 1,79 - j 1,08 1,80 - j 1,11
1090 2,25 - j 0,56 1,57 - j 1,14

 

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru