Полевые транзисторы

2П9120БС

Мощный СВЧ LDMOS импульсный транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Диапазон рабочих частот до 500 МГц;
  • Напряжение питания 50 В;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для применения в радиопередающей
    аппаратуре РЛС и других средств радиосвязи

Основные RF характеристики

  • Выходная импульсная мощность РВЫХ И  - 1000 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 18 дБ (мин)
  • КПД стока ηС  - 45 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс,
    Q = 10, tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p9120bs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения
Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток
UЗИ МАКС 151) В
Максимально допустимое постоянное напряжение
сток-исток (UЗИ = 0 В)
UСИ МАКС 1001) В
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность РИ МАКС 15502) Вт
Максимально допустимый импульсный ток стока IС И МАКС 383) А
Диапазон рабочих температур tC МИН(СРЕДА)
tC МАКС(КОРПУС)
-60
+125
°С
Максимально допустимая температура перехода tП МАКС 180 °С
Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус RT П-К И
0,1 °С/Вт
  1. 1) для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса t≤ 25 °С;
  3. 3) значение  IС И МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в импульсном режиме не выходит за пределы области безопасной работы (ОБР)

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная импульсная
мощность, Вт

РВЫХ И f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
τИ  = 5 мс,
Q =  10
1000   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ =  1000 Вт,
τИ  = 5 мс,
Q =  10
18   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 500 МГц,
UСИ = 50 В,
РВЫХ = 1000 Вт,
τИ  = 5 мс,
Q =  10
45   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 10 A,
UСИ = 10 В
6,9   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 50 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 10 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК* 0,17 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С11И* 492 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С12И* 6 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 50 B )

С22И* 296 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = 15 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ* 10 (макс) мкА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров
PВЫХ, КУР, ηС (f = 1000 МГц)

  • Конденсаторы

    С1, С2 К10-57-250В-120 пФ± 5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С3 КТ4-25б-4/20 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С4  Johanson type 8052 – 1/10 пФ
    С5, С6 К10-17в-Н90-1,5 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С7, С8 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С9 К10-57-500В-4,7 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С10 К10-57-500В-6,8 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С11 Johanson type 8052 – 1/10 пФ
    С12, С13 К50-35-100 В-22 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С14, С15 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С16 К10-57-500В-4,7 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С17...С22 К10-57-500В-15 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С23 К10-57-500В-2,2 пФ±0,5 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С24 Johanson type 8052 – 1/10  пФ                      

  • Резисторы

    R1...R6 С2-33Н-0,25-1,2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R7, R8 С2-33Н-0,5-10Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ   

  • Дроссели

    L1, L2 -  3 витка провод ПЭВ2-1,3 оправка Ø 4 мм
    L3, L4 – дроссель высокочастотный ДМ-3-1В ГИО.477.005 ТУ

  • Линии СВЧ

    W1 Кабель КВФ-25 ТУ16-705.103-79 L=64 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81:
    W2, W3  L=64мм W=4 мм
    W4, W5  L=4,5мм W=5 мм
    W6, W7  L=7мм W=5 мм
    W8, W9  L=11мм W=10 мм
    W10, W11  L=12мм W=22,5 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-0,5 ГОСТ 21000-81:
    W12, W13  L=28 мм W=24,5 мм
    Подложка лист ФАФ-4Д-0,035-1,5 ГОСТ 21000-81:
    W14, W15L=39 мм W=12 мм
    W16, W17L=64 мм W=4 мм
    W18 Кабель РК50-2-25 ТУ16-505.804-82 L=50 мм

  • Разъемы

    XW1     Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2     Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ
    VТ1 - измеряемый транзистор

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru