Полевые транзисторы

2П826АС

Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-102-1;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П826АС предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 600 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 50 В;
  • Рабочая частота f = 30 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥25;
  • КПД стока ηС≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±40 В 1, 2

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 125 В 1

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 630 Вт 3

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 60 А 4

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 160 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 100 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,19 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - норма на UЗИ макс подтверждается в составе технологических отбраковочных испытаний;
  3. 3 - при температуре корпуса tК≤40 (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  4. 4 - значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П826АС при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Начальный ток стока

IС НАЧ UСИ=50 В, UЗИ=0 В - 60 мА 25
- 300 мА 125
- 300 мА -60

Остаточный ток стока

IС ОСТ UСИ=125 В, UЗИ=-10 В - 150 мА 25

Крутизна характеристики

S IC=20 А, UСИ=10 В 10 - A/B 25

Выходная мощность

PВЫХ f=30 Мгц, UСИ=50 В, PВХ≤24 Вт, IС≤800 мА 600 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=30 Мгц, UСИ=50 В, PВЫХ=600 Вт, IС≤800 мА 25 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия стока

ηC 50 - % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Ток утечки затвора

IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В - - 0,1 мкА

Пороговое напряжение

UЗИ ОТС IСИ=100 мА, UСИ=10 В 2 - 5 В

Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии

RСИ ОТК IС=10 А, UЗИ=10 В - 0,09 0,12 Ом

Входная емкость

C11 И f=1 МГц, UСИ=50 В - 1950 2100 пФ

Выходная емкость

C22 И f=1 МГц, UСИ=50 В - 850 900 пФ

Проходная емкость

C12 И f=1 МГц, UСИ=50 В - 75 100 пФ

S - параметры

Напряжение питания UСИ=50 В
Ток стока IC=800 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
  модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
10 0,888 -162 1,653 45 0,028 -46 0,843 -146
20 0,939 -171 0,491 26 0,014 -60 0,925 -157
30 0,944 -175 0,230 19 0,0093 -65 0,938 -163
40 0,956 -177 0,158 16 0,0070 -66 0,957 -165
50 0,960 -178 0,084 13 0,0053 -58 0,958 -173
60 0,961 -179 0,062 12 0,0040 -54 0,963 -176
70 0,964 179 0,047 13 0,0030 -49 0,965 -178
80 0,972 178 0,038 16 0,0025 -42 0,965 -180
90 0,971 177 0,027 17 0,0015 -26 0,967 -179
100 0,973 176 0,021 19 0,0012 -16 0,968 -181

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя

  • Конденсаторы

    С1 К10-57-100 В-470 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C2 К10-57-100 В-680 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C3 К10-57-100 В-680 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    C4, С5 К10-17 в-Н90-0,15 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    C6…С9 MURATA GRM43RR72A224KA01-100B-0,22 мкФ
    С22…С26 MURATA GRM43RR72A224KA01-100B-0,22 мкФ
    C10…C21 ATC100BA102JW50XT-50B-1000 пФ

  • Резисторы

    R1 Резистор С2-10-1,0-5,6 Ом±1 % ОЖО.467.072 ТУ

  • Дроссели

    L1 5 витков ПЭВ2-0,65 мм, оправка 4 мм

  • Трансформаторы

    T1 Трансформатор 1:36 на кольцевых сердечниках М200ВНС К20×12×6

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru