Полевые транзисторы

2П821Б

Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П821Б предназначены для работы в усилителях
    мощности в диапазоне частот до 230 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 30 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Рабочая частота f = 175 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥40;
  • КПД стока ηС≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±20 В 1

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 65 В 1

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 60 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 6 А 3

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 230 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 2,6 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tК≤40 (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  3. 3 - значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П821Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Начальный ток стока

IС НАЧ UСИ=28 В, UЗИ=0 В - 6 мА 25
- 30 мА 125
- 30 мА -60

Остаточный ток стока

IС ОСТ UСИ=60 В, UЗИ=-10 В - 10 мА 25

Крутизна характеристики

S IC=1,5 А, UСИ=10 В 1,2 - A/B 25

Выходная мощность

PВЫХ f=175 Мгц, UСИ=28 В, PВХ≤0,75 Вт, IС≤50 мА 30 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=175 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=30 Вт, IС≤50 мА 40 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия стока

ηC 50 - % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Ток утечки затвора

IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В - - 0,1 мкА

Пороговое напряжение

UЗИ ОТС IСИ=50 мА 1 3,1 6 В

Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии

RСИ ОТК IС=1 А, UЗИ=10 В - 0,52 0,56 Ом

Входная емкость

C11 И f=1 МГц, UСИ=28 В - 83 89 пФ

Выходная емкость

C22 И f=1 МГц, UСИ=28 В - 62 78 пФ

Проходная емкость

C12 И f=1 МГц, UСИ=28 В - 8,0 12 пФ

S - параметры

Напряжение питания UСИ=28 В
Ток стока IC=50 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
  модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
50 0,852 -113,496 2,755 83,744 0,091 -3,907 0,815 -100,804
100 0,899 -142,594 1,141 50,497 0,072 -33,256 0,875 -132,228
150 0,934 -155,956 0,595 32,377 0,054 -48,333 0,911 -149,358
200 0,950 -164,340 0,359 22,162 0,040 -55,574 0,939 -158,713
250 0,958 -170,154 0,239 15,295 0,031 -58,798 0,953 -165,830

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя

  • Конденсаторы

    С1, С14 К10-57-100В-36 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С2 К10-57-100В-30 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С3, С10 К50-35-40В-220 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С4, С9 К10-17в-Н90-0,1 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С5, С7, C11, C12 КТ4-25б-250В-2/10 пФ-М75 ОЖО.460.135 ТУ
    С6 К10-57-100В-39 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С8 К10-57-250В-62 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С13 К10-57-100В-27 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ

  • Резисторы

    R1, R2 С2-33Н-0,125-1,3 кОм±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R3 С2-33Н-0,125-0,47 кОм±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R4 С2-33Н-0,5-10 Ом±10% ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.015
    L2 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.016
    L3 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ
    L4 Катушка индуктивности КФДЛ.685422.015

  • Линии СВЧ

    Материал ФАФ-4Д-0,035-1,0:
    W1 w=6 мм, l=27 мм
    W2 w=6 мм, l=20 мм
    W3, W4, W5 w=6 мм, l=10 мм
    W6 w=6 мм, l=38 мм

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru