Полевые транзисторы

2П981А

Кремниевый мощный СВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-83;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П981А предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 5 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 12,5 В;
  • Рабочая частота f = 500 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥10;
  • КПД стока ηС≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±20 В 1

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 40 В 1

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 15 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 1,5 А 3

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 500 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 7 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK95°С (при температуре корпуса от +95°С до +125°С РСР МАКС линейно снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К);
  3. 3 - значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П981А при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Начальный ток стока

IС НАЧ UСИ=12,5 В, UЗИ=0 В - 2 мА 25
- 10 мА 125
- 10 мА -60

Остаточный ток стока

IС ОСТ UСИ=40 В, UЗИ=-10 В - 4 мА 25

Крутизна характеристики

S IC=0,7 А, UСИ=10 В 0,33 - A/B 25

Выходная мощность

PВЫХ f=500 Мгц, UСИ=12,5 В, PВХ≤0,5 Вт, IС≤50 мА 5 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=500 Мгц, UСИ=12,5 В, PВЫХ=5 Вт, IС≤50 мА 10 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия стока

ηC 50 - % tК≤40

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Ток утечки затвора

IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В - 0,085 0,1 мкА

Пороговое напряжение

UЗИ ОТС IСИ=50 мА 2 4 6 В

Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии

RСИ ОТК IС=0,7 А, UЗИ=10 В - 1,3 2,5 Ом

Входная емкость

C11 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В - 18 23 пФ

Выходная емкость

C22 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В - 24 30 пФ

Проходная емкость

C12 И f=1 МГц, UСИ=12,5 В - 3,2 4,5 пФ

S - параметры

Напряжение питания UСИ=12,5 В
Ток стока IC=50 мА

S11И – Коэффициент отражения входной цепи транзистора в схеме с общим истоком;
S21И – Коэффициент прямой передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S12И – Коэффициент обратной передачи напряжения транзистора в схеме с общим истоком;
S22И – Коэффициент отражения выходной цепи транзистора в схеме с общим истоком.

f, МГц S11И S21И S12И S22И
  модуль фаза модуль фаза модуль фаза модуль фаза
100 0,688 -100,76 5,5536 101,44 0,1033 14,31 0,7598 -136,01
200 0,6737 -131,13 2,7777 74,19 0,1009 -9,26 0,7499 -171,13
300 0,7204 -147,41 1,1874 31,41 0,089 -23,02 0,7879 -177,72
400 0,7723 -60,63 0,7963 20,43 0,0746 -2,33 0,821 -169,54
500 0,8144 -172,48 0,5584 12,42 0,0588 -37,21 0,848 -163,18

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя

  • Конденсаторы

    С1, С12 К10-57-100В-360 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    C2, C3, C11 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    C4, C9 К10-57-500В-20 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С5 КТ4-25б-250В-1/5 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    C6,C8 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С7 К10-57-500В-6,8 пФ±5% ОЖО.460.194 ТУ
    С10 К50-35 63В-47 мкФ ОЖО.460214 ТУ
    С13 К50-35 63В-47 мкФ ОЖО.460214 ТУ

  • Резисторы

    R1 С2-33Н-0,25-1,2 кОм±10% ОЖО.467.173 ТУ
    R2 С2-33Н-0,5-15 Ом±10% ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.685421.002
    L2 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ

  • Линии СВЧ

    Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0
    W1, W7 w=3 мм, l=25 мм
    W2, W3 w=3 мм, l=10 мм
    W4, W5 w=3 мм, l=5 мм
    W6 w=3 мм, l=15 мм

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru