Полевые транзисторы

2П978Б

Кремниевый мощный ВЧ полевой транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по DMOS технологии;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81;
  • Золотая металлизация.

Основное назначение

  • Транзисторы 2П978Б предназначены для использования
    в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.

Основные характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ = 10 Вт;
  • Напряжение питания UСИ = 28 В;
  • Рабочая частота f = 500 МГц;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР≥20;
  • КПД стока ηС≥50%.

Технические данные

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения Примечание

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±20 В 1

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 65 В 1

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 40 Вт 2

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 3 А 3

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С -

Верхняя частота рабочего диапазона

fВД 500 МГц -

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 3,2 °С/Вт -

Диапазон рабочих температур

- -60 до +125 °С -

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tК≤40 (при температуре корпуса от +40°С до +125°С РСР МАКС снижается по закону: РСР МАКС = (200-tК)/RТ П-К));
  3. 3 - значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии,
    что его величина в статическом режиме не выходит за пределы области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов 2П978Б при приемке и поставке

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Не более Единица измерения Температура среды (корпуса), °С

Начальный ток стока

IС НАЧ UСИ=28 В, UЗИ=0 В - 2 мА 25
- 10 мА 125
- 10 мА -60

Остаточный ток стока

IС ОСТ UСИ=60 В, UЗИ=-10 В - 4 мА 25

Крутизна характеристики

S IC=0,3 А, UСИ=10 В 0,26 - A/B 25

Выходная мощность

PВЫХ f=500 Мгц, UСИ=28 В, PВХ≤0,5 Вт, IС≤50 мА 10 - Вт tК≤40

Коэффициент усиления
по мощности

КУP f=500 Мгц, UСИ=28 В, PВЫХ=10 Вт, IС≤50 мА 20 - - tК≤40

Коэффициент полезного
действия стока

ηC 50 - % tК≤40

Примечание - значения IC НАЧ, IС ОСТ, S приведены для каждой половины балансного транзистора.

Справочные электропараметры

Параметр Обозначение Режим измерения Не менее Тип Не более Единица измерения

Ток утечки затвора

IЗ УТ UСИ=0 В, UЗИ= ±20 В - - 0,6 мкА

Пороговое напряжение

UЗИ ОТС IСИ=50 мА 2 - 6 В

Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии

RСИ ОТК IС=0,6 А, UЗИ=10 В - - 3,4 Ом

Входная емкость

C11 И f=1 МГц, UСИ=28 В - - 22 пФ

Выходная емкость

C22 И f=1 МГц, UСИ=28 В - - 20 пФ

Проходная емкость

C12 И f=1 МГц, UСИ=28 В - - 2,5 пФ

Примечание - значения IC, IЗ УТ, UЗИ ОТС, RСИ ОТК, С11 И, С22 И, С12 И приведены для каждой половины балансного транзистора.

Типовые зависимости электрических параметров

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя

  • Конденсаторы

    С1, C2 К10-57-250В-47 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С3, C4 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С5 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С6 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С7, C8 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С9 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С10...C12 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С13 К10-57-500В-4,7 пФ±0,25 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С14 КТ4-25б-250В-4/20 пФ-М470 ОЖО.460.135 ТУ
    С15 К10-57-500В-4,7 пФ±0,25 пФ ОЖО.460.194 ТУ
    С16, C17 К50-35 63В-47 мкФ ОЖО.460214 ТУ
    С18, C19 К10-57-500В-47 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ

  • Резисторы

    R1, R2 С2-33Н-0,25-10 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R3...R6 С2-33Н-0,25-1 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R7,R8 С2-33Н-0,25-2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R9, R10 С2-33Н-0,25-2 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1, L2 Дроссель КФДЛ.757446.007
    L3, L4 Дроссель КФДЛ.757446.007 L5, L6 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 В ГИО.477.005 ТУ

  • Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0

    Линии полосковые, материал ФАФ-4Д-0,035-2,0
    W1 w=3 мм, l=52 мм
    W2 РК-50-2-25 ТУ 16-505.804-82, l=52 мм
    W3 w=3 мм, l=52 мм
    W4, W5 w=3 мм, l=9 мм
    W6, W7 w=3 мм, l=20 мм
    W8, W9 w=3 мм, l=16 мм
    W10, W11 w=3 мм, l=16 мм
    W12 w=3 мм, l=52 мм
    W13 РК-50-2-25 ТУ 16-505.804-82, l=52 мм
    W14 w=3 мм, l=52 мм

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru