Полевые транзисторы

2П986Б

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55С-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 1000 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  – 5 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 50 % (мин)
    (режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт,
    tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p986b chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 401)
(UЗИ = –10 В)
В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 162) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 1,03) А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
–60
 +125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 6 °С/Вт
  1. 1)  для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) при температуре корпуса tК ≤100 °С;
  3. 3) значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

Рвых (CW) f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В,
РВХ ≤0,5 Вт
5   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 5 В 
10   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 1000 МГц
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 5 Вт
50   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC = 1 A,
UСИ = 10 В
0,4   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 12,5 В,
UЗИ = 0 В
  2
10
10
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ UСИ = 40 В,
UЗИ = −10 В
  4 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 1 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,9 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

С11И 21,7 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

С12И 2,1 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

С22И 10,6 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ±20 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

Информация для применения

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки параметров
PВЫХ, КУР, ηС (f = 1000 МГц)

  • Конденсаторы

    C1, С13 КТ4-25б-250 В-0,4/2 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С2, С14 К10-57-500 В- 47 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С3, С9 К10-17в-Н90-0,015 мкФ ОЖО.460.172 ТУ
    С4, С11 Johanson 8052 (1...10 пФ)
    C5, С6, С12 К10-57-500 В- 12 пФ±5 % ОЖО.460.194 ТУ
    С7, C8 К10-57-500 В- 1,5 пФ±0,5 ОЖО.460.194 ТУ
    С10 К50-35-63 В-47 мкФ ОЖО.464.214 ТУ

  • Резисторы

    R1...R3 C2-33Н-0,25-750 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R4 C2-33Н-0,25-15 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1 Катушка индуктивности КФДЛ.658422.041
    L2 Дроссель высокочастотный ДМ-3-1 ВГИО.477.005 ТУ

  • Линии СВЧ, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81

    W1 L = 30 mm; W = 3 mm
    W2 L = 20 mm; W = 3 mm
    W3 L = 20 mm; W = 24 mm
    W4 L = 16 mm; W = 12 mm
    W5 L = 16 mm; W = 3 mm

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор
  • XP1.1, XP1.2 - Вилка РШ2Н-2-15 НЩО.364.003 ТУ

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru