Полевые транзисторы

2П980БС

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии;
  • Внутренняя согласующая цепь по входу;
  • Золотая металлизация;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1..

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 1000 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  – 150 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 40 % (мин)
    (режим измерения: f = 860 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤15 Вт,
    tk ≤ 40 °С )

Технические данные

2p980bs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 651) В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 2002) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 183) А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
–60
 +125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,8 °С/Вт
  1. 1) - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2) - при температуре корпуса tК ≤ 40 °С;
  3. 3) - значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

РВЫХ (CW) f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВХ ≤15 Вт
150   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ  = 150 Вт
10   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 860 МГц
UСИ = 32 В,
РВЫХ  = 150 Вт
45   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC= 2,0 A,
U= 10 В
1,8 - tC = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 32 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = –60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ* UСИ = 60 В,
UЗИ = –10 В
  20 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК * 0,4 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С11И * 990 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С12И * 8,0 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 32 B )

С22И * 100 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B )

IЗ УТ * 0,1 (макс) мкА

Пороговое напряжение ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ПОР 1-6 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
860 8,97 + j 2,97 0,85 - j 0,02

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru