Полевые транзисторы

2П998А

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным
    затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Золотая металлизация;
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-55C-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ - 35 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС  - 50 %((мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 1,1 Вт,
    tk ≤ 40 °С ).

Технические данные

2p998a chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС 201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток (UЗИ = - 10 В)

UСИ МАКС 601) В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 452) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 53) А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
-60
 +125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 2,9 °С/Вт

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса t70 °С;
  3. 3 - значение IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

Рвых (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤1,1 Вт
35   tk ≤ 40 °С

 Коэффициент усиления
по мощности, дБ

 КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 35 В 
15   tk ≤ 40 °С 

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηС f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 35 Вт
50   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC = 2,0 A,
UСИ = 10 В
1,1   tС  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
  5
25
25
tС  = 25 °С
tС  = −60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ UСИ = 60 В,
UЗИ = −10 В
  3 tС  = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 1,0 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,6 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С11И 85 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С12И 5 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С22И 50 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ±20 B )

IЗ УТ 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
400 0,75 + j 3,14 4,19 + j 1,99
450 0,75 + j 2,50 3,81 + j 1,88
500 0,72 + j 1,96 3,47 + j 1,73
600 0,72 + j 1,07 2,90 + j 1,34
700 0,71 + j 0,31 2,45 + j 0,89
800 0,70 - j 0,36 2,10 + j 0,41
860 0,69 - j 0,72 1,93 + j 0,12

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

2p998a electrical sch

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru