Полевые транзисторы

2П998БС

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный балансный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Золотая металлизация
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ  -150 Вт;
  • Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (мин);
  • КПД стока ηС -  60 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 4,7 Вт, tk ≤ 40 °С)

Технические данные

2p998bs chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС 201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 601) В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 2002) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС  183) А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
– 60
 + 125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,8 °С/Вт
  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK 40°С;
  3. 3 - значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы.

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВХ ≤ 4,7 Вт
150   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f = 500 МГц
UСИ = 28 В,
РВЫХ  = 150 Вт
15   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 500 МГц
UСИ = 28 В, РВЫХ  = 150 Вт
60   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC = 2,0 А, UСИ =10 В 1,6 - tC = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 28 В,
UЗИ = 0 В
  10
50
50
tС  = 25 °С
tС  = -60 °С
tС  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ* UСИ = 60 В,
UЗИ = -10 В
  10 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 3,0 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК * 0,37 (макс) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С11И * 175 (макс) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С12И * 11 (макс) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 28 B )

С22И * 90 (макс) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B )

IЗ УТ * 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Информация для применения

Оптимальные импедансы источника (ZS) и нагрузки (ZL)*

Частота, МГц  ZS, Ом ZL, Ом
400 0,24 + j 0,46 2,13 + j 1,55
430 0,25 + j 0,20 1,96 + j 1,40
435 0,25 + j 0,15 1,93 + j 1,38
440 0,25 + j 0,11 1,90 + j 1,35
500 0,25 - j 0,36 1,62 + j 1,04
600 0,28 - j 1,03 1,33 + j 0,44
700 0,32 - j 1,66 1,12 - j 0,07
800 0,37 - j 2,23 0,96 - j 0,54
900 0,38 - j 2,75 0,82 - j 0,94

* импедансы приведены для каждой секции транзисторной сборки

Схема, поясняющая измерение импеданса источника ZS и нагрузки ZL транзистора VT1

Типовые зависимости электрических параметров

 
 
 

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru