Полевые транзисторы

2П986Д

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-57А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ - 40 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  -10 дБ (мин);
  • КПД стока ηС - 50 % (мин).
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 4 Вт,
    tk ≤ 40 °С)

Технические данные

2p986d chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 401)
(UЗИ = −10 В)
В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 1002) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 6,43)  А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
-60
 +125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К   1,0 °С/Вт

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK 100°С
  3. 3 - значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более

Выходная мощность, Вт

РВЫХ (CW) f = 500 МГц,
UСИ = 12,5 В,
РВХ ≤ 4 Вт
40   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУР f = 500 МГц,
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 40 Вт
10   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 500 МГц
UСИ = 12,5 В, РВЫХ  = 40 Вт
50   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S IC= 5 A,
UСИ= 10 В
2,4   tС = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ UСИ = 12,5 В,
UЗИ = 0 В
  5
25
25
tС  = 25 °С
tС  = –60 °С
tС  = 125 °С 

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ
UСИ = 40 В,
UЗИ = −10 В
  10 tС = 25 °С

Справочные электропараметры

Параметр,
режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК 0,15 (тип) Ои

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

С11И 188 (тип) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

С12И 20 (тип) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

C22И 87 (тип) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1 - 5 В

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки
       параметров PВЫХ, КУР, ηС (f = 500 МГц)

  • Конденсаторы

    C1, С12      К50-35-63 В-47 мкФ ОЖО.464.214 ТУ
    С2,С4,С5,С8...10    1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    С3,С14      АТС100В102JW50XT-50 B-1000 Пф
    С6,С13      АТС100В180JW500XT-50 B-24 пФ
    C7             КТ4-25б-250 В-2/10 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    С11           Johanson 8052 (1...10 пФ)

  • Резисторы

    R1,R2     C2-33Н-0,25-1 кОм±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R3          C2-33Н-0,25-15 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1    Катушка индуктивности КФДЛ.757446.044
    L2    Катушка индуктивности КФДЛ.757446.045
    L3    Дроссель высокочастотный ДМ-3-3 ВГИО.477.005 ТУ

  • Линии СВЧ, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81

    W1    L = 25 mm; W = 6 mm
    W2    L = 10 mm; W = 6 mm
    W3    L = 10 mm; W = 6 mm
    W4    L = 25 mm; W = 6 mm

  • Разъемы

    XW1   Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2   Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор
  • XP1.1, XP1.2 - Вилка РШ2Н-2-15 НЩО.364.003 ТУ

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru