Полевые транзисторы

2П986ЕС

Мощный СВЧ LDMOS транзистор

Описание

  • Кремниевый n-канальный транзистор
    с изолированным затвором,
    выполненный по LDMOS технологии;
  • Встроенная защита от статэлектричества (ESD);
  • Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-1.

Основное назначение

  • Транзистор предназначен для работы в усилителях мощности
    аппаратуры радиосвязи в диапазоне частот до 500 МГц.

Основные RF характеристики

  • Выходная мощность РВЫХ - 80 Вт (CW);
  • Коэффициент усиления по мощности КУР  - 7 дБ;
  • КПД стока ηС≥50 % (мин)
    (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В,
    PВХ ≤ 16 Вт, tk ≤40 °С )

Технические данные

2p986es chip

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации

Параметр Обозначение Значение Единица измерения

Максимально допустимое постоянное
напряжение затвор-исток

UЗИ МАКС ±201) В

Максимально допустимое постоянное
напряжение сток-исток

UСИ МАКС 401) 
(UЗИ = -10 В)
В

Максимально допустимая средняя
рассеиваемая мощность в динамическом режиме

РСР МАКС 1602) Вт

Максимально допустимый постоянный ток стока

IС МАКС 12,83) А

Диапазон рабочих температур

tC МИН (СРЕДА)
tК МАКС (КОРПУС)
-60
 +125
°С

Максимально допустимая температура перехода

tП МАКС 200 °С

Тепловое сопротивление переход-корпус

RT П-К 0,6 °С/Вт

Примечание:

  1. 1 - для всего диапазона рабочих температур;
  2. 2 - при температуре корпуса tK 100°С;
  3. 3 - значение  IС МАКС приведено для всего диапазона рабочих температур при условии, что его величина в статическом режиме находится в пределах области безопасной работы

Электрические параметры транзисторов 2П986ЕС при приемке и поставке

Параметр, единица измерения
Обозначение Режим измерения Норма Температура среды (корпуса)
Не менее Не более
Выходная мощность, Вт РВЫХ (CW) f = 500 МГц
UСИ = 12,5 В, РВХ ≤16 Вт
80   tk ≤ 40 °С

Коэффициент усиления
по мощности, дБ

КУP f = 500 Мгц, UСИ =12,5 В, PВЫХ=80 Вт 7   tk ≤ 40 °С

Коэффициент полезного
действия стока, %

ηC f = 500 Мгц, UСИ =12,5 В, PВЫХ=80 Вт 50   tk ≤ 40 °С

Крутизна характеристики, А/В

S* IC=5 А,
UСИ=10 В
2,9   tC  = 25 °С

Начальный ток стока, мА

IС НАЧ* UСИ = 12,5 В, UЗИ = 0 В   10
50
50
tC  = 25 °С
tC  = −60 °С
tC  = 125 °С

Остаточный ток стока, мА

IС ОСТ* UСИ = 40 В,
UЗИ = −10 В
  20 tС  = 25 °С

* для каждой секции транзисторной сборки

Справочные электропараметры

Параметр, режим измерения
Обозначение Значение Единица измерения

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(IC= 5 A, UЗИ= 10 B)

RСИ ОТК * 0,15 (тип) Ом

Входная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

C11 И* 208 (тип) пФ

Проходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

C12 И* 19 (тип) пФ

Выходная емкость ( f = 1 МГц, UСИ = 12,5 B )

C22 И* 89 (тип) пФ

Ток утечки затвора ( UЗИ = ± 20 B, UСИ = 0 B )

IЗ УТ * 0,01 (макс) мА

Напряжение отсечки ( IСИ = 100 мA )

UЗИ ОТС 1-5 В

* для каждой секции транзисторной сборки

Схема электрическая принципиальная измерительного усилителя для проверки
       параметров PВЫХ, КУР, ηС (f = 500 МГц)

  • Конденсаторы

    С1,С2,C22,C23       КТ4-25б-1/5 пФ ОЖО.460.135 ТУ
    C3,С6,С7,C8,С10   1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    С11,C13,C15,C16   1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    C18,C19,C21          1206-X7R-0,1 мкФ+-10%-50в
    С4,С5, C24,C25      АТС100В102JW50XT-50 B-1000 Пф
    С9,C12                    КТ4-25б-250 В-2/10 пФ ОЖО.460.135
    С14                         АТС100В180JW500XT-50 B-24 пФ
    С17,C20                 Johanson 8052 (1...10 пФ)

  • Резисторы

    R1...R4    C2-33Н-0,25-750 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ
    R5,R6      C2-33Н-0,25-10 Ом±10 % ОЖО.467.173 ТУ

  • Дроссели

    L1,L2     Катушка индуктивности КФДЛ.757446.042
    L3,L4     Катушка индуктивности КФДЛ.757446.043

  • Линии СВЧ, материал ФАФ-4Д-0,035-1,0 ГОСТ 21000-81

    W2, W3        L = 10 mm; W = 10 mm
    W4, W5        L = 10 mm; W = 10 mm
    W6, W7        L = 15 mm; W = 17 mm
    W8, W9        L = 15 mm; W = 17 mm
    W10, W11    L = 10 mm; W = 10 mm
    W12, W13    L = 10 mm; W = 10 mm
    W1, W14      PK 50-1.5-22 ; L = 25 mm

  • Разъемы

    XW1 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/1 ЕЭО.223.017 ТУ
    XW2 Переход коаксиально-полосковый Э2-116/2 ЕЭО.223.017 ТУ

  • VТ1 - измеряемый транзистор
  • XP1.1, XP1.2, XP1.3, XP1.4 - Вилка РШ2Н-2-15 НЩО.364.003 ТУ

Типовые зависимости электрических параметров

Габаритный чертёж корпуса


394033, г. Воронеж,

ул. Старых Большевиков, 5


Тел. (473) 222-91-70, 226-20-35   Факс (473) 222-91-70   email: niiet@niiet.ru