Направления деятельности:

Интегральные микросхемы

 
Дизайн-центр института выполняет полный комплекс работ по проектированию цифровых интегральных микросхем. Производство кристаллов для продукции НИИЭТ осуществляется лучшими отечественными и зарубежными фабриками. На предприятии сформировалась целая школа по созданию БИС и СБИС, ЦОС и АЦП. На данный момент в институте работает 2 лаборатории, занимающиеся разработкой микроконтроллеров и других ИМС.
 
Партнерами предприятия являются ведущие отечественные и зарубежные кремниевые фабрики, с которыми заключены соглашения о предоставлении foundry-услуг. Дизайн-центр располагает лицензиями и технической поддержкой ведущих мировых производителей программных инструментов, позволяющих проектировать микросхемы и мощные СВЧ-транзисторы с проектными нормами до 14 нм.

ВЧ- и СВЧ- транзисторы

 

В настоящее время линейка ВЧ-и СВЧ-изделий, работающих на частотах до 12 ГГц, развивается специалистами предприятия и выходит в более высокие диапазоны.

Основным направлением работы в области ВЧ- и СВЧ-тематики на данном этапе является разработка транзисторов и усилителей мощности различного назначения. НИИЭТ проводит весь комплекс работ, начиная с составления ТЗ и разработки схемных и конструктивных решений, и заканчивая изготовлением и измерением макетных образцов.

Перечень предлагаемых услуг дизайн-центра проектирования твердотельной СВЧ электроники полупроводниковых приборов и РЭА:

Разработка мощных СВЧ полупроводниковых приборов:

 
Разработка мощных СВЧ LDMOS, DMOS и биполярных транзисторов, в том числе внутрисогласованных транзисторов
 
Разработка мощные СВЧ GaN транзисторов
 
Разработка монолитных интегральных схем (МИС)

Разработка усилителей мощности по техническим требованиям заказчика, в том числе:

 
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности в гибридном исполнении
 
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности в корпусном исполнении
 
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности типа Pallet
 
Изготовление единичных образцов усилителей мощности.

Разработка и изготовление измерительных стендов.

Разработка силовых полупроводниковых приборов, в том числе:

 
Разработка силовые переключающих GaN транзисторов

Разработка силовых полупроводниковых приборов, в том числе:

 
Разработка силовые переключающих GaN транзисторов

Разработка КД на транзисторы, корпуса транзисторов, модули усилителей мощности, упаковку, оснастку для сборки модулей усилителей мощности и транзисторов.

Разработка и изготовление стендов для испытания СВЧ транзисторов и модулей СВЧ на безотказность.

Разработка, изготовление и аттестация оснастки для измерения электрических параметров транзисторов и модулей усилителей мощности.