УДК 621.382 А.В. Бунина, С.В. Калиниченко, И.А. Суров АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» Аннотация: В...
УДК 539.376 Моделирование распределения тепловых напряжений, возникающих при радиационном облучении В.К.Зольников1, И.В. Семейкин2 1 ФГБОУ...
А.В. Строгонов ФГБОУ ВО «Воронежский государственный технический университет» Аннотация:в статье рассматриваются вопросы разработки учебных процессорных...
К.В. Зольников1., П.Э. Гусев2 1. АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» 2. Национальный исследовательский университет «Московский...
1И.В. Коняев, 1И.И. Бородкин, 2Е.Н. Бормонтов The influence of FR power on the surface characteristics...
В.В. Побединский, П.П. Куцько, Д.М. Кирьянов АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» АННОТАЦИЯ:статья освещает ключевые аспекты...
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЕ ДМОП ТРАНЗИСТОРА С КОМБИНИРОВАННЫМ ПОДЗАТВОРНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ НА ОСНОВЕ SIO2/SI3N4 В НОРМАЛЬНЫХ...
Надежность является одним из ключевых требований к современной электронной аппаратуре различного назначения, включая ряд гражданских направлений. Расширяется спектр сфер, где электронике всё в большей мере отводится роль обеспечения безопасности людей и функционирования критических для жизни общества систем.
Рост скоростей передачи данных в современных телекоммуникационных системах, а также увеличение абонентской емкости стационарных точек доступа и базовых станций мобильной связи приводят к необходимости использования более высоких частот.
В статье рассматривается проект по созданию автоматической камеры для испытаний полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на тепловой удар, выполняемый АО «НИИЭТ».
УДК 621.382 Опубликовано в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы” Выпуск 1 (260)...
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
В статье исследована стабильность ряда систем многослойных металлизаций при воздействии высоких температур. Проанализировано изменение сопротивления систем металлизации при длительном воздействии высоких температур. Проведены испытания на устойчивость к проплавлению барьерного слоя. Из экспериментальных данных рассчитано время наработки на отказ исследуемых систем металлизации при 300°C.
Представлены характеристики и особенности применения новой отечественной микросхемы — 16-разрядного аналогового микроконвертера К1874ВЕ96Т с усовершенствованной архитектурой MCS-96. Наличие на одном кристалле высокопроизводительного процессорного ядра, АЦП и ЦАП высокой разрядности, встроенного модуля отладки OCDS, а также ряда периферийных устройств позволяет создавать на основе микросхемы К1874ВЕ96Т законченные системы сбора и обработки информации, интеллектуальные датчики, устройства с автономным питанием и различные средства измерений, автоматизации и контроля.
В статье рассмотрены характеристики микросхемы преобразователя напряжения 1273ПН1Т, относящейся к классу импульсных понижающих асинхронных регуляторов. Эта микросхема с большим КПД и высокой стабильностью выходного напряжения предназначена для создания стабилизированных источников питания бортовых систем специального и общего назначения. Подобные системы используются в большегрузной автомобильной технике, авионике, робототехнических комплексах и средствах автоматизации. К числу прототипов преобразователя напряжения 1273ПН1Т можно отнести одну из микросхем семейства LM267х фирмы National Semiconductor.
Сегодня модульный подход к построению современных систем связи, теле- и радиовещания является наиболее перспективным. Применение усилительных модулей позволяет оптимально решать задачи проектирования и производства усилителей мощности таких систем. Хорошие результаты в области разработок ВЧ усилительных паллет и модулей усилителей мощности достигнуты АО "НИИЭТ" (Воронеж).