Направления работ:

Сборочное производство АО «НИИЭТ» предлагает услуги корпусирования кристаллов в металлокерамические корпуса с приемкой «ВП», «ОТК» на современном, высокотехнологичном, прецизионном сборочном оборудовании ведущих мировых производителей. Специалистами АО «НИИЭТ» разработаны, освоены и внедрены в производство следующие базовые технологии:

– сборка кристаллов интегральных микросхем с размерами контактных площадок до 60×60 мкм с шагом 80 мкм в многовыводных металлокерамических корпусах различного конструктивного исполнения;

– сборка интегральных микросхем с интеграцией в одном корпусе нескольких активных и пассивных электронных компонентов, выполняющих разные функции по технологии система-в-корпусе (SIP - System in Package);

– сборка ИМС с применением современных методов 3D-интеграции, технологии «flip-chip»;

– сборка ИМС в пластиковых корпусах с открытой полостью с использованием методов проволочного монтажа, герметизация компаундами свободной заливкой;

– монтаж внешних шариковых и столбиковых выводов на корпуса типа BGA, CBGA, DBGA, CCGA, проведение испытаний прочности соединений (отрыв проволочных соединение, сдвиг кристалла, сдвиг/отрыв шариковых/столбиковых выводов).

ВЧ- и СВЧ- транзисторы

 
Сборка транзисторов и комплексированных изделий на их основе.
На базе НИИЭТ создан участок сборки металлокерамических корпусов для биполярных, DMOS- и LDMOS-транзисторов. Разработано и внедрено в производство 11 типов металлокерамических корпусов.

Сборочное производство ИМС АО «НИИЭТ»

На предприятии внедрена комплексная система контроля качества: РД В 319.015-2006, ГОСТ РВ 20.57.418-98.

Площадь чистых производственных помещений ≈ 700 м2, класс чистоты помещений: 10000 (7 ИСО по ГОСТ ИСО 14644-1-2002). Выход годных не ниже 85,0 % (сборка + измерения).

Количество единиц оборудования: 44, в т. ч. основное технологическое оборудование 26 единицы – выпуска 2012-2020 г.

Инженерное и техническое обеспечение позволяет ежегодно проводить серийное освоение не менее 10 типономиналов микросхем.

Автоматизированная технология  сборки позволяет обрабатывать кремниевые пластины диаметром до 200 мм и изготавливать микросхемы во всех типах металлокерамических корпусов:

Типы корпусов
Тип  корпуса: Количество выводов:
CQFP (4-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8 до 256
CPGA (6-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 68 до 624
CBGA (8-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 68 до 675
CCGA ((8-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) до 1800
DIP (2-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8  до 64
СLCC (5-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8 до 64
LCC (безвыводные, ГОСТ Р 54844-2011) от 5 до 100

Имеющийся научно-технический задел в области разработок и освоения технологий сборок изделий микроэлектроники позволил освоить и внедрить следующие базовые технологии:

Cквозное разделение пластин на кристаллы на адгезионном спутнике-носителе:

Оборудование: комплект установок фирмы «DISCO»,  установка автоматической инспекции пластин и кристаллов по внешнему виду Falcon S20PD.

Технические характеристики:

- диаметр пластин до 200 мм;
- разделение ультратонких пластин по технологии TAIKO;
- толщина пластин от 100 мкм до 680 мкм +/-20 мкм;
- ширина разделительных дорожек – 100 мкм (80 мкм min);
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 20,0 х 20,0 мм.

Технология монтажа кристаллов на адгезионные клеи:

Оборудование: Автоматическая система монтажа компонентов TRESKY T-6000, Datacon 2200 evoPLUS, ультразвуковой микроскоп Sonoscan Gen 6.

Технические характеристики:

- точность монтажа кристаллов +/-5 мкм;
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 15,0 х 15,0мм;
- токопроводящие, токоизоляционные адгезивы;
- контроль качества клеевого шва методом ультразвукового сканирования.

Технология сварки внутренних токоведущих выводов:

Оборудование: Установки ультразвуковой сварки:  BONDGET BJ-820, Delvotek 64000 G5, BONDGET BJ-939, установка тестирования микросоединений DAGE 4000 PXY.

Технические характеристики:

- метод присоединения:
- ультразвуковая сварка (клин-клин);
- термокомпрессионная сварка (клин-клин, шарик-клин);
- материал проволоки: Al, Au, Pt;
- диаметр проволоки: от 20 до 700 мкм;
- минимальные размеры контактных площадок: 60 х 70 мкм;
- количество уровней разварки: 3-4 уровня;
- количество перемычек: до 10000 (задается конструкцией прибора);
- точность присоединения: +/- 3мкм;
- встроенная система контроля качества приварки.

Технология герметизации ИМС шовно-роликовой сваркой:

Оборудование: Установка герметизации шовно-роликовой сваркой  AF1250 в атмосферной камере MX2000. Комбинированный комплекс герметизации Pyramid HPS 9206M. Установка контроля герметичности  UL 1000. Установка контроля герметичности WEB6000 на большие течи.

Технические характеристики:

- герметизация ИМС в металлокерамических корпусах методом шовной роликовой сваркой в азотной среде с контролируемой точкой росы не ниже – 65 ºС;
- контроль герметичности по эквивалентному нормализованному потоку утечки  гелия 6,65×10-3Па•см-3/с;
- контроль герметичности на большие течи.

В настоящее время внедряются технологии сборки изделий электронной техники типа «система в корпусе».

Технология монтажа кристаллов методом «flip-chip»:

Оборудование: SET FC-150

Технические характеристики:

- сборка стеков от 2-х до 6-и кристаллов:
- монтаж типа «кристалл–на–кристалле»; «кристалл–на–пластине»; «кристалл на плате»;
- точность монтажа кристаллов +/-1мкм;
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 15,0 х 15,0мм;
- шаг контактных площадок: 90, 100,120 мкм;
- материал шариков/столбиков: Cu + SnAg (припойная шапка); Au; SnAgCu; PbSn
- размеры шариков/столбиков: высота от 14 до 100 мкм;  диаметр от 25 до 100 мкм;
- размеры шариков/столбиков:  диаметр от 100 до 600 мкм.

Технология монтаж припойных шариковых выводов:

Оборудование: PacTech SB2-Jet

Технические характеристики:

- монтаж припойных шариковых выводов на контактные площадки кристаллов, подложек, оснований корпусов, пластин (до 300 мм включительно)
- шаг контактных площадок: 60, 90,100,120 мкм;
- материал шариков: Cu + SnAg (припойная шапка); Au; SnAgCu; PbSn;
- размеры шариков: высота от 15 до 100 мкм;  диаметр от 80 до 100 мкм;
- размеры шариков:  диаметр от 100 до 760 мкм.

Герметизация компаундами Underfill и Dam-and-Fill:

Оборудование: Spectrum S-820

Технические характеристики:

- герметизация подкристального пространства компаундами после монтажа методом flip-chip;
- заполнение подкристальный объема после монтажа кристалла 10 мкм;
- заливка компонентов для технологии «кристалл на плате».

Технология вакуумной пайки внешних выводов (шарики, столбики):

Оборудование: VLO 20

Технические характеристики:

- контролируемый профиль оплавления (5 термопар);
- максимальная температура до 450 ºС;
- возможность оплавления в вакууме и парах муравьиной кислоты.

Перечень дополнительных услуг:

Коммерческое изготовление пластин с кристаллами полупроводниковых приборов (СВЧ биполярные транзисторы, СВЧ- МОП-транзисторы, диоды, МДП-конденсаторы)

Технические характеристики:
Ø100 мм
Проектная норма 2,0 мкм

Нанесение пленок методом магнетронного напыления лицевая сторона: Pt, Ti, TiPt, Al обратная сторона: Au, Au-Si, TiPt, аморфный Si

Технические характеристики:
Ø100 мм
Ø100 мм и Ø200 мм

Утонение пластин

Технические характеристики:
Ø100 мм – 100-120 мкм
Ø200 мм – 200-250 мкм
Ø200 мм (Taiko) – 100-120 мкм

Ионное легирование B, P, Asi

Технические характеристики:
Ø100 мм
Emax(B)=85 эВ, Emax(P, As)=90 эВ

Bosch-травление кремниевых пластин

Технические характеристики:
Проектная норма 2,0 мкм
Глубина до 150 мкм

Монтаж кристаллов методом эвтектической пайки Au-Si

Технические характеристики:
Автоматическое оборудование:
Palomar 3500
Palomar 3800
Palomar 3880
Повторяемость монтажа 3,5 мкм при 3 сигма

Разварка внутренних токоведущих выводов полупроводниковых изделий Au и Al проволокой диаметром 17,5-75 мкм методом термоультразвуковой сварки

Технические характеристики:
Автоматическое оборудование:
Delvotec G5 – 2 шт.
Полуавтоматическое оборудование:
Delvotec 5630
Delvotec 5632
Точность позиционирования 3 мкм при 3 сигма

Измерение толщины тонких пленок, определение химического состава металлических сплавов

Технические характеристики:
Анализатор покрытий рентгенофлуоресцентный X-Strata-980
Измерение толщины тонких пленок (до 15 мкм) Ni и Au на медных, молибденовых и вольфрамовых подложках
Определение химического состава металлических образцов

Гальваническое золочение

Технические характеристики:
Золочение деталей в фосфатном и цитратно-фосфатном электролитах с толщиной покрытия до 15 мкм

Химическое никелирование деталей

Технические характеристики:
Получение покрытий «никель-фосфор» толщиной до 6 мкм

Гальваническое никелирование деталей

Технические характеристики:
Получение никелевых покрытий толщиной до 12 мкм

Контроль статических параметров транзисторов

Технические характеристики:
Гамма-157, Гамма-188
Agilent B1505A

Контроль герметичности масс-спектрометрическим методом

Технические характеристики:
Полуавтоматическое оборудование:
Inficon UL1000 fab
Наименьшая определяемая течь (согласно AVS 2.1 и EN 1518) < 5*10-12 мбар л/с

Контроль герметичности пузырьковым методом

Технические характеристики:
Trio-tech G-254A
Контроль проводится в теплопроводной жидкости 3M™ Fluorinert™ FC-40

Маркировка методом лазерной гравировки

Технические характеристики:
Лазерный комплекс для маркировки и гравировки FMark-20NS
Гравируемые (маркируемые) материалы:
Сталь, алюминий, титан, медные сплавы, окрашенные металлические поверхности,  резина, пластмассы, полупроводники и др.

Высокотемпературная пайка деталей в защитной среде

Технические характеристики:
Печь водородная ПВ-04, колпаковая водородная печь MSHT

Температура процессов: до 1000 оС
Технологическая среда: водород или формиргаз (смесь водорода с азотом)