Срок реализации комплексного проекта: 1 октября 2021 г. –
30 сентября 2028 г.

В рамках комплексного проекта планируется создание серии из двух типов мощных СВЧ LDMOS транзисторов с выходной мощностью в пике огибающей 140 Вт (тип 1) и 1 000 Вт (тип 2) при напряжении питания 50 В в диапазоне частот 400 – 860 МГц. Разрабатываемые транзисторы оптимизированы для работы с телевизионным сигналом стандартов DVB-T/DVB-T2 и характеризуются высокими показателями линейности передаточной характеристики. В рамках проекта разрабатываются транзисторы на основе LDMOS технологии последнего поколения и с учетом научно-технического задела отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы.

Разрабатываемые мощные СВЧ транзисторы типа 1 и типа 2 предназначены для работы в усилителях мощности передатчиков телевизионного сигнала.

Работа в передатчике сигнала стандартов DVB-T/DVB-T2 определяет для транзисторов типа 1 и типа 2 два ключевых требования. Во-первых, сложный характер модуляции сигнала стандартов DVB-T/DVB-T2 требует высокие показатели линейности при передаче сигнала. Во-вторых, при усилении DVB-T/DVB-T2 сигнала транзистор с Uпит= 50 В потребляет большую мощность, что определяет значительный разогрев транзистора во время работы. Соответственно, для транзистора становятся критичными требования по низкому значению теплового сопротивления.

В настоящее время в России нет освоенных в серийном производстве СВЧ транзисторов или технологии их создания, позволяющих удовлетворить описанным выше требованиям в сочетании с высокими значениями коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия.

Разрабатываемые транзисторы должны соответствовать требованиям ГОСТ 11630-84 с уточнениями и дополнениями, приведенными в данном разделе.

1. Конструктивные требования

1.1.1 Транзисторы изготавливаются в металлокерамических корпусах КТ-55С-1 и КТ-103А-2 по ГОСТ Р 57439-2017.

1.1.2 Габаритные, установочные, присоединительные размеры изделия, а также способ его крепления в аппаратуре устанавливаются в ходе ОКР.

1.1.3 Масса изделия должна быть не более 20 г.

1.1.4 Выводы изделия должны выдерживать без механических повреждений воздействие растягивающей силы 10 Н (1 кгс), направленной вдоль оси вывода.

1.1.5 Изделия должно быть герметичными. Показатель герметичности транзисторов по эквивалентному нормализованному потоку – не более 1 Па·см3/с.

1.1.6 Изделия разрабатывают в конструктивном исполнении, предназначенном для ручной сборки аппаратуры.

1.1.7 Конструкция изделия и технология его изготовления должны обеспечивать конструктивно-технологические запасы и запасы по параметрам относительно основных технических требований.

1.2 Требования к эксплуатационным параметрам изделий и режимам их эксплуатации.

1.2.1 Требования к эксплуатационным параметрам транзисторов приведены в таблице 1.2.1.

Таблица 1.2.1 – Значения электрических параметров транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра, единица измерения

(режим измерения)

Буквенное обозначение параметра

Норма параметра

Температура корпуса (среды), °С

Тип 1

Тип 2

не менее

не более

не менее

не более

Выходная мощность в пике огибающей, Вт

(UСИ= 50 В, РВХ ПО= 1,4 Вт,

f1= 860 МГц, f2= 860,1 МГц)

РВЫХ ПО

140

 

 

25±15

Выходная мощность, Вт

(UСИ= 50 В, РВХ= 2,5 Вт,

f= 550 МГц)*

РВЫХ

 

 

180

25±15

Коэффициент усиления по мощности, дБ

(UСИ= 50 В,

f1= 860 МГц, f2= 860,1 МГц,

РВЫХ ПО= 140 Вт;

f= 550 МГц, РВЫХ= 180 Вт)*

КУР

20

18,6

25±15

Коэффициент полезного действия стока, %

(UСИ= 50 В,

f1= 860 МГц, f2= 860,1 МГц,

РВЫХ ПО= 140 Вт;

f= 550 МГц, РВЫХ= 180 Вт)*

ηС

45

 

50

25±15

Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка, дБ

(UСИ= 50 В,

f1= 860 МГц, f2= 860,1 МГц,

РВЫХ ПО= 140 Вт)

М3

–30

 

 

25±15

Intermodulation distortion shoulder, дБ

(UСИ= 50 В, f= 550 МГц, РВЫХ= 180 Вт)*

IMDSHLDR**

 

 

 –33

25±15

Начальный ток стока, мА

(UСИ= 100 В, UЗИ= 0 В)

IС НАЧ

3

10

(25±10)

Ток утечки затвора, мА

(UЗИ= 15 В)

IЗ УТ

0,05

0,15

(25±10)

* Входной сигнал DVB-T (8k OFDM) в полосе канала 8 МГц с PAR= 9,5 дБ при вероятности 0,01 % для CCDF.

** Параметр измеряется по методу дельта маркера с отстройкой на 4,3 МГц от центральной частоты.

1.2.2 Значения электрических параметров транзисторов, изменяющиеся при эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) должны соответствовать нормам, установленным в таблице 1.2.2.

Таблица 1.2.2 – Значения электрических параметров транзисторов, изменяющиеся при эксплуатации

Наименование параметра,

единица измерения, режим измерения

Буквенное обозначение параметра

Значение параметра

Температура среды, °C

Тип 1

Тип 2

не менее

не более

не менее

не более

Начальный ток стока, мА

(UСИ= 100 В, UЗИ = 0 В)

IС НАЧ

15

50

25±10

Ток утечки затвора, мА

(UЗИ= 15 В)

IЗ УТ

0,5

1,5

25±10

Значения остальных параметров должны соответствовать нормам при приемке и поставке (1.2.1).

1.2.3 Предельно допустимые значения электрических параметров режимов эксплуатации транзисторов должны соответствовать нормам, установленным в таблице 1.3.3.

Таблица 1.2.3 – Предельно допустимые значения электрических параметров режимов эксплуатации транзисторов

Наименование параметра,

единица измерения

(режим измерения)

Буквенное обозначение параметра

Норма

параметра

Температура среды,

ºС

не менее

не более

Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В

UЗИ МАКС

13

1

Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток (UЗИ= 0 В), В

UСИ МАКС

108

1

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, Вт

РМАКС

 

 

2

Максимально допустимая температура перехода, °С

tП МАКС

200

 

Максимально допустимая температура корпуса, °С

tК МАКС

125

 

Минимально допустимая температура среды, °С

tС MIN

–60

 

Примечания

1 Во всем диапазоне рабочих температур.

2 Значение параметра РМАКС должно быть установлено на этапе проведения предварительных испытаний с учетом достигнутого теплового сопротивления. Величина теплового сопротивления устанавливается в соответствии с ГОСТ 11 0944.

1.2.4 Требования стойкости к воздействию внешних факторов

Транзисторы должны быть стойкими к воздействию механических и климатических факторов.  Механические воздействия по 2 группе таблицы 1 ГОСТ 11630-84, в том числе:

– синусоидальная вибрация:

– диапазон частот от 1 до 2 000 Гц;

– амплитуда ускорения 100 (10) м/с2 (g);

– линейное ускорение 1 000 (100) м/с2 (g).

  1. Требования надежности

1.3.1 Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых настоящими ТУ, должна быть не более 1×10–6 1/ч в пределах наработки tН 25 000 ч.

1.3.2 98-процентный срок сохраняемости транзисторов при хранении их в условиях по ГОСТ 21493 должен быть не менее 10 лет.

План-график реализации комплексного проекта

№ п/п

Наименование ключевого события (мероприятия)

Срок выполнения ключевого события (мероприятия)

Результат выполнения (образец, макет, стенд, отчет и др.) с указанием требований к нему

30.09.2022

30.09.2023

30.09.2024

30.09.2025

30.09.2026

30.09.2027

30.09.2028

I. Разработка продукции

 

1

Разработка технического проекта

+

 

 

 

 

 

 

Документация технического проекта – 1 компл.

Макеты транзисторов – 1 компл.

Протоколы измерений – 1 компл.

2

Разработка рабочих КД и ТД. Изготовление опытных образцов.

 

+

 

 

 

 

 

Рабочие КД и ТД – 1 компл.

Тестовые усилители мощности – 1 компл.

Опытные образцы – 1 компл.

3

Проведение предварительных испытаний опытных образцов. Изготовление первой серии изделий. Приемка ОКР.

 

 

+

 

 

 

 

Акт предварительных испытаний – 1 компл.

Первая серия изделий – 1 компл.

Акт приемки ОКР – 4 компл

II. Организация производства продукции и вывода на рынок

 

1

Выполнение объема продаж требованиям субсидии

 

 

 

 

+

 

 

Отчет о выполнения условия субсидии в отношении объема продаж


Объем производства и реализации продукции, создаваемой в рамках комплексного проекта (с НДС, накопленным итогом), рублей: 828 000 000.

Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых в рамках реализации комплексного проекта высокотехнологичных рабочих мест (накопленным итогом), ед.: 4.

Количество создаваемых результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых патентами или иными охранными документами (не менее одного) и (или) охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау) (накопленным итогом), ед.: 5.

Объем экспорта продукции, созданной в рамках реализации комплексного проекта (накопленным итогом), долларов США: 0.

Для выполнения проекта планируется привлечение соисполнителя АО «Микрон» в обеспечение разрабатываемой продукции транзисторными кристаллами (таблица 1.4).

Таблица 1.4 – Соисполнители

№ п/пНаименование соисполнителяРоль в реализации комплексного проекта (выполняемые функции)Ожидаемый результат от привлечения соисполнителя
1АО «Микрон», г. ЗеленоградРазработка технологических рецептов. Изготовление макетных, опытных и серийных пластин с транзисторными кристалламиТехнология изготовления мощных СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов. Макетные образцы пластин с транзисторными кристаллами. Опытные образцы пластин с транзисторными кристаллами Серийные пластины с транзисторными кристаллами