Выполненные исследования и полученные результаты позволяют предприятиям исключить дорогостоящий этап выполнения научно-исследовательских работ по анализу возможности и перспектив применения транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) и сразу приступить к реализации опытно-конструкторских работ по разработке целевой аппаратуры на базе этих изделий.
