В современном мире электроники, где требования к эффективности, мощности и надежности постоянно растут, разработка передовых полупроводниковых устройств становится критически важной.
АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») активно ведет работы по созданию нитрид галлиевых и LDMOS-транзисторов, не имеющих аналогов в России.
Технологию нитрида галлия (GaN) можно смело назвать революцией в производстве полупроводниковых приборов, открывающей двери к созданию более эффективных, быстрых и компактных электронных устройств. При этом кремниевая LDMOS технология, позволяя добиться оптимального соотношения между качественными характеристиками и стоимостью, хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.
Самые передовые изделия, транзисторы серии «ПП» и транзисторы КП9171А, КП9171БС, созданные воронежским институтом по этим технологиям, уже можно приобрести на маркетплейсе Озон, что расширяет доступ малым предприятиям и даже радиолюбителям к этим технологиям.
ПП9137А, ПП9139Б1, ПП9139А1 — мощные СВЧ-транзисторы на основе нитрида галлия, созданы для применения в усилительных каскадах, L-, S- и C-диапазонах частот радиоэлектронной аппаратуры, за счет малых значений паразитных параметров они обладают повышенными эксплуатационными характеристиками. Высокая надежность и устойчивость к экстремальным условиям делают GaN-транзисторы идеальным выбором для создания продуктов с характеристиками, находящимися на грани технических возможностей.
Основные преимущества данных изделий перед кремниевыми LDMOS-транзисторами заключается в более высоких рабочих частотах при сравнимой мощности.
Рабочие частоты GaN-транзисторов могут превышать 20 ГГц, что недоступно для существующих LDMOS-изделий. Так же они обладают более высоким КПД и более широкими рабочими полосами частот, что делает их незаменимыми для применения при построении современных беспроводных систем связи, включая базовые станции сотовых систем связи поколения 5G.
Транзисторы КП9171А и КП9171БС являются представителями кремниевых LDMOS-транзисторов, собравшими множество положительных отзывов потребителей и удостоившимися Премии Electronica-2024 в категории «Электронная компонентная база».
Технология LDMOS в АО «НИИЭТ» была освоена в еще 2006 году и за прошедшее время предприятие представило более 50 типономиналов ВЧ и СВЧ LDMOS-транзисторов.
Для создания транзисторов КП9171А и КП9171БС специалистами АО «НИИЭТ» была значительно усовершенствована конструкция СВЧ-кристаллов и доработана технология их изготовления, что позволило воплотить в жизнь ряд принципиально новых конструктивно-технологических решений, направленных на существенное улучшение радиочастотных характеристик, линейности, повышение надежности транзисторов, обеспечение высокой стабильности их энергетических параметров при длительной наработке.
На частотах до 1ГГц по выходной мощности КП9171А и КП9171БС не уступают GaN-транзисторам, что позволяет широко использовать их в передатчиках цифрового телевизионного вещания стандарта DVB T2, где применение GaN-транзисторов не целесообразно. Благодаря своим передовым характеристикам транзисторы КП9171А и КП9171БС будут востребованы и в других областях, например, в системах радиолокации, навигации и связи.
Вышеуказанные разработки НИИ электронной техники находятся на уровне лучших мировых аналогов, обеспечивая импортозамещение и технологическую независимость отечественных разработок, в основе которых они будут использованы. Они уже внесены в реестр российской промышленной продукции (ПП РФ № 719) и Единый реестр радиоэлектронной продукции (ПП РФ № 878) Минпромторга России.
Помимо транзисторов, на маркетплейсе Озон можно найти и другие изделия НИИ электронной техники: микроконтроллеры К1921ВГ015 и макетно-отладочная плата для данного типа изделий, Воронеж-ВК028, Воронеж-ВМ014, Воронеж-ВК035.
