Работа по созданию серии мощных линейных СВЧ LDMOS-транзисторов с улучшенной энергоэффективностью, выполненная совместно АО «НИИЭТ» и АО «Микрон» (входят в Группу компаний «Элемент»), заняла первое место в номинации «Лучшая инновационная разработка» Конкурса научных, научно-технических и инновационных разработок, направленных на развитие радиоэлектронной промышленности, проводимого ФГБУ «ВНИИР». Подведение итогов и награждение победителей конкурса состоится на XXI Отраслевой научно-технической конференции радиоэлектронной промышленности.
Новая серия СВЧ-приборов включает два LDMOS-транзистора, предназначенных для использования в качестве усилительного элемента в телевизионных передатчиках стандартов DVB-T/DVB-T2. На сегодняшний день они являются единственными отечественными транзисторами, удовлетворяющими специфические требования данного стандарта – прежде всего по линейности передачи сигнала, КПД и мощности. Зарубежными аналогами приборов, получивших обозначения КП9171А и КП9171БС, являются транзисторы BLF881 и BLF989Е фирмы Ampleon. КП9171БС стал первым в России транзистором, предназначенным для усилителей мощности, выполненных по схеме Догерти.
Для достижения высоких характеристик, которыми должны обладать усилительные транзисторы современной передающей аппаратуры цифрового телевидения, была существенно усовершенствована конструкция, технология изготовления и топология LDMOS-транзисторных кристаллов. На отдельные элементы новой конструкции получены патенты на изобретение. Сформированный в рамках данной работы научно-технический задел станет основой для серийного производства широкой номенклатуры отечественных СВЧ-транзисторов, по основным параметрам не уступающих самым современным изделиям данного класса в мире.
Производство транзисторов КП9171А и КП9171БС выполняется полностью на территории Российской Федерации, а все входящие в их состав комплектующие и материалы приобретаются у отечественных поставщиков. В частности, полупроводниковые пластины с транзисторными кристаллами изготавливаются на производственных мощностях АО «Микрон», утонение пластин, резка и другие сопутствующие операции по получению транзисторных кристаллов – в АО «НИИЭТ». Также на площадке воронежского института производятся кристаллы МДП-конденсаторов для согласующих цепей, выполняются сборка и корпусирование приборов и их приемо-сдаточные и периодические испытания.
Основные электрические параметры транзистора КП9171А:
• коэффициент усиления по мощности не менее 20 дБ;
• КПД стока не менее 45%;
• коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
Транзистор КП9171БС обладает следующими основными электрическими характеристиками:
• коэффициент усиления по мощности не менее 18,6 дБ;
• КПД стока не менее 50%;
• значение параметра IMDSHLDR не более –33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц.
Оба прибора выпускаются в металлокерамических корпусах: КП9171А в корпусах типов КТ-44В-2, КТ-55С-1 и КТ-81F-1К, а КП9171БС – в корпусах КТ-103С-1 и КТ-103А-2.
Новые транзисторы были созданы в рамках ОКР «LDMOS-DTV» с привлечением субсидии в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. В настоящее время ОКР полностью завершена, транзисторы КП9171А и КП9171БС поставлены на серийное производство. Приобрести данные приборы можно направив заявку на почту: sbyt@niiet.ru.
