Транзисторы предназначены для работы в S-диапазоне частот и характеризуются выходной мощностью 14 и 90 Вт при компрессии коэффициента усиления на 1 дБ при напряжении питания 40 В в диапазоне частот 2,9-3,2 ГГц и изготавливаются в металлокерамических корпусах. Данные изделия являются альтернативой зарубежным транзисторам IGN2731M5, IGN2732M10, IGN2731M80 и IGN2932M75 фирмы Integra Technologies (США) и могут быть использованы для их импортозамещения.
Разработанные приборы выполнены на основе новейших транзисторных кристаллов производства АО «Светлана-Рост», которые изготавливаются по инновационной HEMT-технологии нитрид галлия на карбиде кремния и соответствуют современному мировому уровню. Ключевой особенностью разработанных транзисторов является то, что цикл их производства от выращивания SiC-подложки c эпитаксиальными слоями до герметизации корпуса – проходит на территории Российской Федерации. Данный аспект означает полную независимость от комплектующих иностранного производства и позволяет потребителю быть уверенным в сроках и возможности поставки.
По всем основным электрическим и эксплуатационным параметрам разработанные транзисторы не уступают изделиям зарубежного производства, а по ряду характеристик – даже превосходят их. Так, благодаря оптимизации конструкции транзисторных кристаллов, удалось добиться баланса удельной выходной мощности и теплового сопротивления, что дало возможность добиться высоких энергетических характеристик, как при импульсном, так и при непрерывном радиочастотном сигнале.
Разработка данных приборов позволяет не только заменить транзисторы фирмы Integra Technologies, но и в перспективе создать широкую номенклатуру отечественных СВЧ GaN-транзисторов, способную удовлетворить все потребности российской промышленности в приборах данного типа.
