Направления работ:
Интегральные микросхемы
Дизайн-центр института выполняет полный комплекс работ по проектированию цифровых интегральных микросхем. Производство кристаллов для продукции НИИЭТ осуществляется лучшими отечественными и зарубежными фабриками. На предприятии сформировалась целая школа по созданию БИС и СБИС, ЦОС и АЦП.
Партнерами предприятия являются ведущие отечественные и зарубежные кремниевые фабрики, с которыми заключены соглашения о предоставлении foundry-услуг. Дизайн-центр располагает лицензиями и технической поддержкой ведущих мировых производителей программных инструментов, позволяющих проектировать микросхемы и мощные СВЧ-транзисторы с проектными нормами до 14 нм.
ВЧ- и СВЧ- транзисторы
В настоящее время линейка ВЧ-и СВЧ-изделий, работающих на частотах до 12 ГГц, развивается специалистами предприятия и выходит в более высокие диапазоны.
Основным направлением работы в области ВЧ- и СВЧ-тематики на данном этапе является разработка транзисторов и усилителей мощности различного назначения. НИИЭТ проводит весь комплекс работ, начиная с составления ТЗ и разработки схемных и конструктивных решений, и заканчивая изготовлением и измерением макетных образцов.
Перечень предлагаемых услуг дизайн-центра проектирования твердотельной СВЧ электроники полупроводниковых приборов и РЭА:
Разработка мощных СВЧ полупроводниковых приборов:
Разработка мощных СВЧ LDMOS, DMOS и биполярных транзисторов, в том числе внутрисогласованных транзисторов
Разработка мощные СВЧ GaN транзисторов
Разработка монолитных интегральных схем (МИС)
Разработка усилителей мощности по техническим требованиям заказчика, в том числе:
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности в гибридном исполнении
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности в корпусном исполнении
Разработка модулей СВЧ усилителей мощности типа Pallet
Изготовление единичных образцов усилителей мощности.
Разработка и изготовление измерительных стендов.
Разработка силовых полупроводниковых приборов, в том числе:
Разработка силовые переключающих GaN транзисторов