НИИЭТ получил премию ELECTRONICA за вклад в развитие технологий производства микро- и наноэлектроники, став лучшим в категории «Микро- и наноэлектроника» по мнению пользовательского сообщества. К участию в премии институт представил серию 32-разрядных RISC-микроконтроллеров с улучшенными характеристиками, среди которых микроконтроллер K1921ВК035, отличающийся сочетанием рекордно маленьких габаритных размеров и высокой производительности, и K1921ВК028 – один из самых современных высокопроизводительных 32-разрядных МК в России, единственный отечественный контроллер с объемом встроенной Flash-памяти более 2 Мбайт.
Также НИИ электронной техники являлся номинантом в категории «Силовая электроника», представив к участию в конкурсе новые силовые GaN-транзисторы с шифрами ТНГ-К 45030, ТНГ-К 10030, ТНГ-К 20020, ТНГ-К 20040, ТНГ-К 45020. Применение данных транзисторов позволяет добиться увеличения КПД до 97-98%, тогда как при использовании изделий на кремнии этот показатель достигает только 93-94%. Изделия оказались на втором месте по количеству голосов в своей категории, набрав более 500 голосов пользовательского сообщества.
Премия ELECTRONICA направлена на поддержку и продвижение лучших инновационных разработок электронной промышленности, реализуемых на российском рынке. Победителей выбирали представители отраслевого сообщества, среди которых участники и посетители выставок ExpoElectronica и ElectronTechExpo. Ключевым критерием отбора во всех номинациях являлась ценность продукта для конечного потребителя и его востребованность на рынке.
