Компания ООО «ЭНЭЛ», которая является дистрибьютером АО «НИИЭТ», совместно с партнёрами провела семинар для разработчиков Радиоэлектронной аппаратуры. В мероприятии приняли участие более 40 человек, представителей отраслевых предприятий.
Ведущий инженер-конструктор НИИ электронной техники выступил на семинаре с докладом, посвященном новым разработкам института.
«Наш институт разрабатывает и выпускает большую номенклатуру различных изделий -микропроцессоры, микроконтроллеры АЦП, ЦАП, СВЧ-, ВЧ- транзисторы и усилители мощности», – рассказал докладчик.
Он отметил, что одним из основных направлений научно-технической и производственной деятельности предприятия является разработка и серийное производство СВЧ-транзисторов.
«Здесь можно выделить три основных направления: мощные ВЧ- и СВЧ-транзисторы, усилительные модули и монолитные интегральные схемы (МИС) СВЧ. Следует отметить, что последнее направление МИС появилось сравнительно недавно и является очень перспективным для СВЧ-электроники», – добавил докладчик и рассказал о направлении дискретных транзисторов, которое включает в себя кремниевые биполярные транзисторы, кремниевые полевые DMOS- и LDMOS-транзисторы, а также нитрид-галлиевые транзисторы с высокой подвижностью электронов.
«Изделия на базе нитрида галлия привлекательны в качестве альтернативы кремниевым силовым транзисторам, которые до последнего времени являлись основой таких силовых устройств, как источники питания, AC/DC, DC/DC-преобразователи, приводы электродвигателей. Нитрид галлия отличается от кремния повышенной подвижностью электронов и увеличенной электрической прочностью. Это означает, что при заданных значениях сопротивления и пробивного напряжения GaN-транзистор будет иметь меньшие размеры по сравнению с кремниевым аналогом. Нашим институтом разработано и выпускается более 20 типов транзисторов с диапазоном частот до 12 ГГц и выходной мощностью до 40 Вт»,- подчеркнул ведущий инженер-конструктор.
В его докладе также была представлена технология GaN HEMT, по которой в НИИ электронной техники разработан ряд изделий.
«По технологии GaN HEMT выполнено изделие 6П9143А3. Его использование возможно в составе передающей аппаратуры С-, Х-диапазона частот. Стоит отметить, что важной частью мощного СВЧтранзистора являются внутрикорпусные цепи согласования. По технологии GaN HEMT выполнено также изделие МУМ-60. Его использование возможно в составе передающей аппаратуры L-диапазона частот. Перечисленные выше изделия не имеют аналогов», -отметил докладчик.
Он рассказал и о других продуктах, разработанных специалистами НИИ электронной техники, в том числе о силовых GaN-транзисторах с шифрами ТНГ-К 10030, ТНГ-К 20040, ТНГ-К 20020, ТНГ-К 45020, ТНГ-К 45030, применение которых позволяет добиться увеличения КПД до 97-98%, за счет того, что изделия разработаны на базе нитрида галлия.
В докладе речь также шла о микроконтроллерах и микропроцессорах производства НИИЭТ.
В зависимости от характеристик, изделия НИИ электронной техники применяются в автоэлектронике, автоматизации производства, управлении двигателями. На базе лицензионного ядра ARM Cortex M4F производительностью 125 миллионов итераций в секунду разработан и серийно выпускается микроконтроллер К1921ВК01Т, реализованный в пластиковом корпусе. Данный МК рекомендуется к применению в областях, где необходима цифровая обработка сигнала: микросхема без труда справится с цифровой фильтрацией, сверткой или преобразованием Фурье и многими другими математическими задачами. Его периферия ориентирована на применение в интеллектуальном управлении электродвигателями разного класса.
Закончив рассказ о микроконтроллерах, докладчик остановился на процессорах цифровой обработки сигналов. Слушателей заинтересовал разрабатывающийся в данный момент высокопроизводительный процессор ЦОС.
«В данных момент в институте ведутся работы по разработке высокопроизводительных процессоров ЦОС VLIW-архитектуры, нейропроцессора для систем искусственного интеллекта, микроконтроллеров для задач реального времени», -отметил ведущий инженер-конструктор.
Тактовая частота ПЦОС предполагается в районе 1 – 1.5 ГГц. Он будет состоять из восьми ядер с VLIW архитектурой. Это позволит выполнять огромное количество задач с колоссальной скоростью.
В заключении инженер АО «НИИЭТ» рассказал о ЦАП, АЦП и силовых ИМС.
По его словам, силовые ИМС на предприятии представлены двумя сериями – преобразователями и ШИМ-контроллерами. Сюда можно отнести микросхемы серии 1273, основной областью применения которых будет комплектование высокоэффективных электронных систем жизнеобеспечения, интегрированных комплексов бортового оборудования автомобилей и перспективной автомобильной техники. Также изделия применяются в различных областях промышленного производства. Данные микросхемы позволяют уменьшить вес аппаратуры, обеспечить требуемые показатели по надежности и сроку службы, а также исключить применение аналогичных импортных ИС в средствах ВВТ.
На мероприятии с докладом также выступили представители компаний ООО «АЕДОН», АО «Ресурс», ООО «КВ Системы» и других предприятий.
