В 2020 году готовый транзистор на основе гетероструктур нитрида галлия с улучшенными СВЧ-характеристиками представил Научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ) из Воронежа. В настоящее время компания производит 25 типов приборов на базе GaN на карбиде кремния в общем объеме до 10. тыс. штук и пять номиналов компонентов GaN на кремнии. Транзисторы GaN-on-SiC от НИИЭТ обладают выходной мощностью до 400 Вт и перекрывают диапазон частот до 12 ГГц, в том числе сети стандарта 5G (3‒5 ГГц), открывающие дорогу массовому внедрению сверхскоростного интернета и интернета вещей. Несмотря на наличие компетенций и отлаженного производства, амбиции для выхода на широкого потребителя здесь тоже весьма умеренные.
Причина тому — отсутствие внутреннего спроса на нитрид-галлиевые транзисторы в гражданском секторе. Иными словами, Россия должна сама производить базовые станции 5G. Их создание потребует концентрации колоссального уровня необходимых материальных и научно-технических ресурсов.
«Технически мы готовы создать соответствующие транзисторы и другие приборы для 5G, которые относятся к нашей сфере компетенций. Но базовая станция состоит далеко не только из них. А чтобы обеспечить приемлемую стоимость разработки, необходимы объемы производства», — отмечает технический директор АО «НИИЭТ».
Оптимальным для России эксперт считает путь, который прошли китайские производители, получившие от государства гарантии определенной доли рынка с соответствующим планом производства. Такая стратегия, по его мнению, может стать успешной, если разработка будет полностью отечественной, без локализации иностранных решений.
В настоящее время в НИИЭТ ведутся работы по организации нового участка корпусирования полупроводниковых приборов в пластик — именно в таком виде они востребованы в гражданской электронике.
Автор: Наталья Быкова, журнал Эксперт, выпуск №17
