Визит полномочного представителя Президента Российской Федерации в Центральном федеральном округе Игоря Олеговича Щёголева и губернатора Воронежской области Александра Викторовича Гусева в воронежский НИИ электронной техники состоялся 25 ноября. Гостей встретили президент Группы компаний «Элемент» и генеральный директор АО «НИИЭТ», которые рассказали о структуре ГК «Элемент», истории и основных направлениях деятельности НИИ электронной техники.
Показывая образцы выпускаемой продукции, руководитель предприятия особо остановился на мощных СВЧ-транзисторах на основе нитрида галлия, отметив, что НИИЭТ является единственным в России предприятием, серийно выпускающим полупроводниковые приборы по данной крайне актуальной технологии, а также на новом ультранизкопотребляющем 32 разрядном микроконтроллере с архитектурой RISC-V, разработанном с использованием субсидии по постановлению Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. Было отмечено, что данный микроконтроллер обладает хорошими перспективами для применения в гражданской технике, в том числе автомобильной.
Прежде чем провести экскурсию по производству, руководитель АО «НИИЭТ» продемонстрировал гостям место заложения капсулы времени с посланием в будущее. «В прошлом году мы отмечали 60-летие института и заложили эту капсулу с задачами, которые мы поставили себе на ближайшие 10 лет, – пояснил руководитель предприятия. – Этот срок мы выбрали, чтобы могли сами увидеть, что у нас получилось, а что нет».
Представители предприятия познакомили гостей с мощностями по сборке ЭКБ и модулей в металлокерамические корпуса, модернизация которых завершилась в 2016 году как результат выполнения первого этапа ФЦП «Техническое перевооружение производства СБИС и мощных СВЧ транзисторов». Руководитель АО «НИИЭТ» отметил, что на данном сборочном производстве освоены в том числе такие современные технологии, как монтаж flip-chip.
Вторая площадка, которую посетили гости института, была создана в 2021 году также в рамках реализации данной ФЦП. Это новые чистые производственные помещения классов 5, 6 и 8 ИСО, в которых реализован полный цикл изготовления кристаллов интегральных схем и СВЧ-приборов на основе кремния.
С особой гордостью представители АО «НИИЭТ» показали гостям испытательный центр, где, помимо прочего современного оборудования, работают установки собственной разработки предприятия – стенды «СИТ» для термоэлектротренировки и испытаний ЭКБ на надежность и автоматическая камера термоудара «АКТУ 001». Это оборудование не только применяется самим предприятием, но и предлагается заказчикам на открытом рынке. В частности, оно вызвало большой интерес на прошедшей недавно выставке Testing&Control.
В испытательном центре проводятся испытания не только микросхем и полупроводниковых приборов, а всей номенклатуры ЭКБ. В настоящее время работа в центре ведется в три смены.
Президент Группы компаний «Элемент» и генеральный директор АО «НИИЭТ» рассказали гостям и о планах развития производства, в частности о том, как на имеющейся базе может быть построен замкнутый цикл изготовления приборов на основе технологии нитрида галлия на кремнии. Президент АО «Элемент» обратил внимание на то, что для реализации данного проекта практически по всем операциям подобрано отечественное оборудование либо установки белорусского производства. «Предпосылки для реализации проекта – это быстрый рост технологии нитрида галлия во всем мире. И самое главное: мы здесь ни от кого не отстали, мы идем параллельно. И мы хотим, чтобы этого отставания не произошло», – добавил руководитель института. Среди номенклатуры ЭКБ, которая может изготавливаться на таком производстве, – компоненты для электромобилей, источников питания, систем связи и других областей.
Руководитель АО «НИИЭТ» обозначил и некоторые проблемы, с которыми сталкивается предприятие, в частности связанные с процедурами ценообразования, которые не учитывают текущих условий.
В завершение визита на предприятие Игорь Щёголев и Александр Гусев познакомились с новой продукцией АО «НИИЭТ» для потребительского рынка – универсальными зарядными устройствами для смартфонов и ноутбуков, построенными с применением нитрид-галлиевой технологии, что обеспечивает высокую выходную мощность при малых габаритах устройств.
Также гостям института свои разработки представили финалисты прошлогоднего конкурса бизнес-идей, проходившего в рамках I Воронежского фестиваля электроники, науки и робототехники StartET.
Читайте также:
https://www.govvrn.ru/novost/-/~/id/10947420
https://voronej.bezformata.com/listnews/polpred-v-tcfo-igor-shyogolev/111866660/
https://www.nakanune.ru/news/2022/11/25/22688751/