Воронежский НИИ электронной техники продолжает работу над реализацией проектов с использованием программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252. В частности, инженерами предприятия ведется разработка серии из двух типов мощных СВЧ LDMOS-транзисторов новейшего поколения.
Основной областью применения новых приборов станут усилители телевизионных сигналов, однако их передовые характеристики, в частности большая выходная мощность в сравнении с транзисторами предыдущего поколения, повышенный КПД и высокая линейность, позволят улучшить с их помощью параметры аппаратуры и в других областях, таких как, например, системы радиолокации и навигации.
В настоящее время подходит к концу гарантийный срок эксплуатации передатчиков телевизионного сигнала, произведенных в рамках ФЦП «Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы». Помимо длительной наработки входящих в их состав транзисторов, наступает моральное устаревание самих передатчиков. Это обуславливает актуальность создания новых усилительных транзисторов, которые позволят вывести характеристики аппаратуры на новый уровень.
Применение в аппаратуре цифрового телевизионного вещания стандартов DVB-T/DVB-T2 накладывает на усилительные транзисторы два ключевых требования. Во-первых, из-за сложного характера модуляции сигнала необходима высокая линейность при его передаче. Во-вторых, при усилении сигнала DVB-T/DVB-T2 транзистор потребляет большую мощность, что приводит к значительному его разогреву в процессе работы, поэтому становятся критичными КПД прибора и низкое тепловое сопротивление между кристаллом и корпусом.
В настоящее время в России нет освоенных в серийном производстве СВЧ-транзисторов, позволяющих удовлетворить специфические требования работы в передатчике сигнала стандартов DVB-T/DVB-T2 в сочетании с высокими значениями коэффициента усиления по мощности и КПД. В 2017 году АО «НИИЭТ» была освоена технология изготовления LDMOS-транзисторов, однако приборы, которые она позволяет получить, характеризуются недостаточной по современным меркам удельной выходной мощностью и чрезмерно большими значениями удельных межэлектродных емкостей.
При проектировании новых приборов конструкция СВЧ-кристаллов LDMOS была значительно усовершенствована, а технология их изготовления переработана, что позволило существенно повысить радиочастотную производительность, линейность и надежность транзисторов. Этот этап проекта уже завершен.
Кроме того, на кристальной фабрике доработана технология по формированию многоуровневой системы металлизации, позволяющая обеспечить увеличение максимально допустимых удельных токов и выходной мощности в 1,5–2 раза по сравнению с предыдущим поколением кристаллов, а благодаря оптимизации схемотехники и конструкции транзисторного кристалла удалось не только снизить тепловое сопротивление, но и повысить устойчивость приборов к паразитной генерации и обеспечить более равномерное распределение мощности.
На данный момент выполняется изготовление инженерных партий пластин с транзисторными кристаллами и проводится отработка технологических режимов.
Ожидаемые параметры транзисторных кристаллов позволят обеспечить эксплуатационные показатели транзисторов на уровне лучших зарубежных аналогов. Транзистор КП9171А станет аналогом прибора BLF881 и будет производиться в корпусе КТ-55С-1. Коэффициент усиления по мощности транзистора составит не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка – не более –30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.
Транзистор КП9171БС – это аналог прибора BLF989Е в балансном корпусе КТ-103А-2. В его составе предусмотрена согласующая цепь по входу. Коэффициент усиления по мощности прибора составит не менее 18,6 дБ, коэффициент полезного действия стока – не менее 50%, значение параметра IMDshldr – не более –33 дБ при непрерывной выходной мощности 180 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 550 МГц.
АО «НИИЭТ» принимает предварительные заявки на приобретение разрабатываемых транзисторов. Ваша информация поможет предприятию учесть ваши потребности на ранней стадии, более эффективно спланировать производство и наиболее оптимально и комфортно для вас обеспечить поставку новых изделий.
