Сверхвысокочастотные транзисторы производства АО «НИИЭТ» обладают высокой линейностью во всем диапазоне рабочих частот, что позволяет использовать в радиопередающих системах сложные сигналы, обеспечивающие качественный скачок характеристик аппаратуры связи и РЭБ.
Мощность транзисторов составляет от 0.5 Вт до 100 Вт.
«Разработка данного типа транзисторов позволяет говорить о появлении отечественных приборов нового класса – линейных мощных LDMOS транзисторов, подчеркнул главный конструктор АО «НИИЭТ» В.П. Крюков. Применение транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре общегражданского и специального применения обеспечит независимость производителей от зарубежной компонентной базы.
Кроме того, применение транзисторов в усилительных блоках позволит снизить потребление электроэнергии на 20-30%, а также уменьшить массогабаритные характеристики изделий.
Запуск изделий в серию запланирован на 2-3 квартал 2017 года.