Платина как химический элемент не подвержена окислению и имеет медленную скорость реакции с широко применяемыми в микроэлектронике припоями на основе Pb-Sn, Sn-Cu и Sn-Ag-Cu, что позволяет заменить одним слоем платины два слоя металлизации контактных площадок под припойные шариковые выводы на кристалле для монтажа методом flip-chip – слой защиты от окисления и диффузионный барьерный слой. В статье исследована способность платины к смачиванию припоем, а также скорость растворения платины в припое на основе олова в сравнении с никелем - самым распространённым в настоящее время материалом для барьерных слоев.
УДК 621.382 Статья опубликована в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника”. Выпуск 2 (170)...
В статье представлены результаты моделирования и измерения отечественных нитрид-галлиевых транзисторов. Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ-транзисторов были проработаны разные конструктивные варианты.
Данная публикация продолжает цикл статей, посвященных новому отечественному 32-разрядному радиационно-стойкому микроконтроллеру 1874ВЕ10Т, создаваемому в АО «НИИЭТ», базирующемуся на оригинальной системе команд и разрабатываемому в рамках ОКР, проводимой Министерством промышленности и торговли РФ (шифр: «Обработка-28»). В предыдущей статье («Компоненты и технологии» No 2’2016) рассказывалось об особенностях процессорного ядра и подсистемы прерываний. В новой статье предложен обзор периферии микроконтроллера.
По мере роста вычислительных мощностей микроконтроллеров программное обеспечение электронного оборудования играет все более важную роль в успехе реализации конечного продукта. Разработчики, выполняя сложные проекты на базе микроконтроллеров, извлекают выгоду из использования интегрированных инструментов. Поскольку изготовители микроконтроллеров интегрируют все больше встроенных аппаратных возможностей в свои платформы, разработчики встраиваемых систем должны увеличить повторное применение готового кода (библиотек) для достижения высокой производительности.
Мощные GaN-транзисторы для применения в модулях L- и S-диапазона мобильных средств связи.
Сегодня на рынке микроконтроллеров господствует два типа архитектур: RISC и CISC, причем RISC-микроконтроллеры в последнее время заметно потеснили CISC. Для того чтобы понять, почему это произошло, рассмотрим особенности обоих подходов к созданию микроконтроллерных архитектур.
В статье представлены основные эксплуатационные и электрические параметры мощных СВЧ LDMOS-кремниевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ», предназначенных для работы в импульсных режимах в диапазонах частот до 500 МГц (серия 2П9120) и 1030…1090 МГц (серии 2П9115 и 2П9116). В этой группе транзисторов следует особо отметить 2П9120ВС с рекордными для отечественной электронной отрасли выходными характеристиками: РВЫХ= 1200 Вт на частоте 500 МГц при КУР более 16 дБ. Описаны также некоторые особенности поведения транзисторов в импульсном режиме.
В статье представлены конструктивно-технологические особенности и основные технические характеристики нескольких отечественных линеек мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов, созданных в АО «НИИЭТ». Транзисторы предназначены для работы в радиопередающей аппаратуре в р- и L-диапазонах частот и обеспечивают уровень выходной мощности 10…300 и 10…400 Вт в непрерывном и импульсном режимах.