УДК 621.382 Опубликовано в научно-техническом журнале “Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы” Выпуск 1 (260)...
В АО «Научно-исследовательский институт электронной техники» (АО «НИИЭТ») – одном из отечественных лидеров разработчиков и производителей отечественных СВЧ-изделий и интегральных микросхем, проведена модернизация LDMOS-технологии и создано новое поколение мощных СВЧ LDMOS-транзисторов для рабочих частот до 3 ГГц с улучшенными эксплуатационными характеристиками.
В статье исследована стабильность ряда систем многослойных металлизаций при воздействии высоких температур. Проанализировано изменение сопротивления систем металлизации при длительном воздействии высоких температур. Проведены испытания на устойчивость к проплавлению барьерного слоя. Из экспериментальных данных рассчитано время наработки на отказ исследуемых систем металлизации при 300°C.
Представлены характеристики и особенности применения новой отечественной микросхемы — 16-разрядного аналогового микроконвертера К1874ВЕ96Т с усовершенствованной архитектурой MCS-96. Наличие на одном кристалле высокопроизводительного процессорного ядра, АЦП и ЦАП высокой разрядности, встроенного модуля отладки OCDS, а также ряда периферийных устройств позволяет создавать на основе микросхемы К1874ВЕ96Т законченные системы сбора и обработки информации, интеллектуальные датчики, устройства с автономным питанием и различные средства измерений, автоматизации и контроля.
В статье рассмотрены характеристики микросхемы преобразователя напряжения 1273ПН1Т, относящейся к классу импульсных понижающих асинхронных регуляторов. Эта микросхема с большим КПД и высокой стабильностью выходного напряжения предназначена для создания стабилизированных источников питания бортовых систем специального и общего назначения. Подобные системы используются в большегрузной автомобильной технике, авионике, робототехнических комплексах и средствах автоматизации. К числу прототипов преобразователя напряжения 1273ПН1Т можно отнести одну из микросхем семейства LM267х фирмы National Semiconductor.
Сегодня модульный подход к построению современных систем связи, теле- и радиовещания является наиболее перспективным. Применение усилительных модулей позволяет оптимально решать задачи проектирования и производства усилителей мощности таких систем. Хорошие результаты в области разработок ВЧ усилительных паллет и модулей усилителей мощности достигнуты АО "НИИЭТ" (Воронеж).