Бесплатные образцы новых СВЧ транзисторов

В 2013 г. ОАО «НИИЭТ» заканчивает ряд разработок новых мощных СВЧ транзисторов P и L-диапазонов частот: ОКР “Основа-Пламя-НИИЭТ”, “Дискрет-14” и “Дискрет-6”.

До сдачи ОКР опытные образцы всех указанных ниже типов транзисторов в количестве 1 – 2 шт. могут быть поставлены бесплатно при условии представления Вашей стороной протокола с результатами исследований.


1. ОКР “Основа-Пламя-НИИЭТ”

Разработка полного параметрического ряда мощных СВЧ линейных LDMOS транзисторов. Срок сдачи ОКР – июнь 2013 г. Основные электрические параметры транзисторов приведены в таблице 1.

Таблица 1.

№

п/п

 Тип транзистора fтест, МГц Рвых, Вт Кур(min), дБ КПД (min), % М3 *), дБ
1 2П9103А f1 = 860 МГц

f2 = 860,1 МГц

 10 16 40 – 25
2 2П9103Б f1 = 860 МГц

f2 = 860,1 МГц

 45 16 40 – 25
3 2П9103В f1 = 860 МГц

f2 = 860,1 МГц

 75 15 40 – 25
4 2П9103ГС f1 = 860 МГц

f2 = 860,1 МГц

 150 16 40 – 25
5 2П9103ДС f1 = 860 МГц

f2 = 860,1 МГц

 300 16 40 – 25

Диапазон рабочих частот 470 – 1000 МГц, напряжение питания UПИТ = 32 В

*) М3 – коэффициент интермодуляционных искажений третьего порядка

2. ОКР “Дискрет-14”

Разработка серии мощных LDMOS транзисторов с выходной мощностью 80, 150 и 250 Вт с КПД не менее 65 % в диапазоне частот до 500 МГц.

Срок сдачи ОКР – ноябрь 2013 г. Изготовлены опытные образцы транзисторов, параметры которых приведены в таблице 2.

Таблица 2.

№

п/п

 Тип транзистора fтест, МГц Рвых, Вт Кур(min), дБ КПД (min), % UПИТ, В
1 2П9111А 500 80 17 65 28
2 2П9111БC 500 150 16 65 28
3 2П9111ВC 500 250 15 65 28
4 2П9112А 400 30 15 54 28

3. ОКР “Дискрет-6”

Разработка серии мощных импульсных СВЧ LDMOS транзисторов L-диапазона. Срок сдачи ОКР – ноябрь 2013 г.

Целью ОКР является разработка и освоение производства серии СВЧ мощных LDMOS транзисторов с выходной импульсной мощностью 10 Вт, 35 Вт, 50 Вт, 100 Вт, 200 Вт, 370 Вт и 450 Вт в диапазоне рабочих частот 1030 – 1550 МГц.

В настоящее время получены опытные образцы первых трех типов (групп) транзисторов, параметры которых приведены в таблице 3.

Таблица 3.

№

п/п

 Тип транзистора fтест, МГц Рвых*), Вт Кур(min), дБ КПД (min), % UПИТ, В
1 2П9113А 1550 10 12 40 50
2 2П9113Б 1500 35 12 40 50
3 2П9113В 1550 50 12 40 50

*) параметры импульса: tи = 3,5 мс, Q = 10

Опытные образцы групп Г, Д, Е, Ж с PВЫХ И. от 100 до 450 Вт будут получены в июле – августе 2013 г.