В рамках программы Союзного государства “Основа” на ФГУП “НИИЭТ” выполняется ОКР по созданию микросхемы шестиканального...
Специалистами отдела разработки мощных ВЧ и СВЧ транзисторов ФГУП “НИИЭТ” создан сверхширокополосный внутрисогласованный линейный усилитель...
ООО “НПФ “Мехатроника-Про” (г. Томск) совместно с ФГУП “НИИЭТ” (г. Воронеж) предлагает усовершенствованный отладочный комплект...
В связи с изменением технологического процесса изготовления кристаллов микроконтроллеров 1887ВЕ1У на кремниевом заводе – изготовителе...
ФГУП “НИИЭТ” в рамках ОКР «Номенклатура» завершила разработку серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов 2П998А(Рвых =35...
В рамках завершенной ОКР “Номенклатура” разработаны два мощных полевых СВЧ транзистора 2П998А и 2П998БС с...
Выполнена модернизация высокопроизводительного 16-разрядного микроконвертера К1874ВЕ96Т, имеющего в своем составе EEPROM память программ, АЦП, ЦАП...
Разработчиками отдела СВЧ транзисторов ФГУП “НИИЭТ” создан новый модуль усилителя мощности КВ диапазона УМ131-1 с...
ФП «НИИЭТ» (г. Воронеж) сообщает об освоении в серийном производстве изделия 1830ВЕ32У – радиационно-стойкого аналога...
ФГУП “НИИЭТ” в рамках ОКР «Номенклатура» завершает разработку серии мощных СВЧ LDMOS транзисторов 2П998А (Рвых=35...
В рамках ФЦП “Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники” на 2008-2015 годы ФГУП “НИИЭТ” закончил...
ФГУП “НИИЭТ” завершил разработку серии мощных СВЧ низковольтных LDMOS транзисторов 2П986А, 2П986Б, 2П986В, 2П986Г для...