Силовые GaN-транзисторы
-
ТНГ-К 10030
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-94 Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 10030П
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(8x8) Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 20020
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-93 Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 20020П
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(8х8) Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 20040
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-93 Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 20040П
GaN силовой транзистор для работы в ключевом режиме Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(8х8) Быстрое и контролируемое время спада и нарастания Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В) Цена по запросу -
ТНГ-К 65005
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-94. Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65005П
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-94 или пластиковом корпусе DFN8L(10х10). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65010
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-94. Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65010П
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(10х10). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65020
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-94. Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65020П
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(10х10). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65030
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-94. Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65030П
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(10х10). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65050
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в металлокерамическом корпусе КТ-95. Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу -
ТНГ-К 65050П
GaN- силовой транзистор для работы в ключевом режиме. Поставляется в пластиковом корпусе DFN8L(10х10). Быстрое и контролируемое время спада и нарастания. Облегченные требования к затворному драйверу (от 0 В до 6 В). Цена по запросу
