Цена по запросу
Основные характеристики:
- Условия измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 2 мс, Q = 10
- Выходная импульсная мощность РВЫХ И – 1200 Вт
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 16 дБ (мин)
- КПД стока ηС – 45 % (мин
Транзистор предназначен для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи.
• Диапазон частот до 500 МГц
• Напряжение питания 50 В
• Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2
Область применения: Связь, радиолокация.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации:
• Диапазон частот до 500 МГц
• Напряжение питания 50 В
• Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-103А-2
Область применения: Связь, радиолокация.
Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации:
| Параметр | Обозначение параметра | Значение |
|---|---|---|
| Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В | UЗИ МАКС | 15 1) |
| Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, В | UСИ МАКС | 100 1) |
| Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, Вт | PСР МАКС | 1937 2) |
| Максимально допустимый постоянный ток стока, А | IС МАКС | 41 |
| Диапазон рабочих температур, °C | tC МИН (СРЕДА) tК МАКС (КОРПУС) |
– 60 + 125 |
| Максимально допустимая температура перехода, °C | tП МАКС | 180 |
| Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт | RT П-К И | 0,08 |
1) Для всего диапазона рабочих температур
2) При температуре корпуса tК < 25 °C
Электрические параметры:
| Параметр | Обозначение параметра | Значение |
|---|---|---|
| Крутизна характеристики (IС = 10 A, UСИ = 10 B), А/В | S | 9,9 (мин) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (IС = 10 A, UЗИ = 10 В), Ом | RСИ ОТК | 0,14 (макс) |
| Входная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 50 B), пФ | С11И | 486 (макс)* |
| Проходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 50 B), пФ | С12И | 6 (макс) |
| Выходная емкость (f = 1 МГц, UСИ = 50 B), пФ | С22И | 295 (макс)* |
* Для одной половины балансного транзистора, включая входную и выходную согласующие цепи
Чертеж корпуса
3D-модель (находится в разработке)
3D-модель (находится в разработке)











