Цена по запросу

2ПЕ310Б – Кремниевый эпитаксиально-планарный DMOS n-канальный мощный высокочастотный транзистор.

Область применения: радиоэлектронная отрасль.
 
Технические характеристики:
Рабочий диапазон частот: 30 МГц
Выходная мощность: 150 Вт
Напряжение питания: 50 В
Коэффициент усиления мощности, минимальный: 18 дБ
КПД минимальный: 50 %
Корпус: МК КТ-31В

Чертеж корпуса (находится в разработке)
3D-модель (можно открыть программами CAD Assistant (на ПК только x64) или FreeCAD3D-модель)