Полевой LDMOS СВЧ транзистор, импульсного режима.
 
Область применения: радиоэлектронная отрасль.
 
Технические характеристики:
Рабочий диапазон частот: 1030-1090 МГц
Выходная мощность: 1000 Вт
Напряжение питания: 50 В
Коэффициент усиления мощности, минимальный: 14 дБ
КПД минимальный: 40 %

Чертеж корпуса (находится в разработке)

3D-модель (находится в разработке)