Цена по запросу

Отличительные особенности:

  • Выходная импульсная мощность PВЫХ И – 450 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности Kур – 15 дБ
  • КПД стока ηс – 48 %

(Условия измерения:
f1 = 1 200 МГц,
f2 = 1 400 МГц, UСИ = 50 В,
τи = 1 мс, Q = 10)

Мощный импульсный СВЧ LDMOS-транзистор общего применения.
• Диапазон частот от 1 200 МГц до 1 400 МГц
• Напряжение питания 50 В
• Является аналогом BLF978P (ф. Ampleon)
• Герметизирован в металлокерамическом корпусе КТ-81В-1
 
Область применения: радиоэлектронная отрасль
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации:

Параметр Обозначение параметра Значение
Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, В UЗИ МАКС 131)
Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, В UСИ МАКС 110
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, Вт PИ МАКС 11672)
Максимально допустимый импульсный ток стока, А IС И МАКС 100
Диапазон рабочих температур, °С tС МИН (среда)
tК МАКС (корпус)
– 60
+ 125
Максимально допустимая температура перехода, °С tП МАКС 200
Импульсное тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт RТ П-КИ 0,10

1) Для всего диапазона рабочих температур
2) При температуре корпуса tК < 25 °C
 
Электрические параметры:

Параметр Обозначение
параметра
Значение
Крутизна характеристики (Iс = 12,6 А, Uси = 10 В), А/В S 18,0 (мин)
27,0(тип)
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Iс = 12,6 А, Uзи = 10 В), Ом RСИ ОТК 0,06 (тип)
0,08(макс)
Входная емкость (f = 1 МГц, Uси = 50 В), пФ C11И 500 (тип)
600 (макс)
Проходная емкость (f = 1 МГц, Uси = 50 В), пФ C12И 1,25 (тип)
1,5 (макс)
Выходная емкость (f = 1 МГц, Uси = 50 В), пФ C22И 1220 (тип)
1440 (макс)

 

Чертеж корпуса
3D-модель (находится в разработке)