Направления работ:

Сборочное производство АО «НИИЭТ» предлагает услуги корпусирования кристаллов различных категорий качества ("ВП" и "ОТК") в металлокерамические корпуса на современном, высокотехнологичном, прецизионном сборочном оборудовании ведущих мировых производителей. Специалистами АО «НИИЭТ» разработаны, освоены и внедрены в производство следующие базовые технологии:

- Сборочное производство АО «НИИЭТ» предлагает услуги корпусирования кристаллов в металлокерамические корпуса на современном, высокотехнологичном, прецизионном сборочном оборудовании ведущих мировых производителей.

- Кристальное производство АО "НИИЭТ" предлагает услуги по изготовлению пластин с заказными элементами, выполненными по 2-ух микронной технологии.

- Корпусное производство АО "НИИЭТ" предлагает услуги по высокотемпературной пайки изделий, а также проведение химических и электорохимических процессов.

ВЧ- и СВЧ- транзисторы

Сборка транзисторов и комплексированных изделий на их основе.
На базе НИИЭТ создан участок сборки металлокерамических корпусов для биполярных, DMOS- и LDMOS-транзисторов. Разработано и внедрено в производство 11 типов металлокерамических корпусов.

Сборочное производство ИМС АО «НИИЭТ»

Система менеджмента качества АО "НИИЭТ" сертифицирована на  соответствие требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2015 и ГОСТ РВ 0015-002-2020.

Площадь чистых производственных помещений ≈ 700 м2, класс чистоты помещений: 10000 (7 ИСО по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2017). Выход годных не ниже 85,0 % (сборка + измерения)

Количество единиц оборудования: 44, в т. ч. основное технологическое оборудование 26 единицы – выпуска 2012-2020 г.

Инженерное и техническое обеспечение позволяет ежегодно проводить серийное освоение не менее 10 типономиналов микросхем.

Автоматизированная технология  сборки позволяет обрабатывать кремниевые пластины диаметром до 200 мм и изготавливать микросхемы во всех типах металлокерамических корпусов:

Типы корпусов
Тип  корпуса: Количество выводов:
CQFP (4-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8 до 256
CPGA (6-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 68 до 624
CBGA (8-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 68 до 675
CCGA ((8-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) до 1800
DIP (2-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8  до 64
СLCC (5-й тип по ГОСТ Р 54844-2011) от 8 до 64
LCC (безвыводные, ГОСТ Р 54844-2011) от 5 до 100

Имеющийся научно-технический задел в области разработок и освоения технологий сборок изделий микроэлектроники позволил освоить и внедрить следующие базовые технологии:

Cквозное разделение пластин на кристаллы на адгезионном спутнике-носителе:

Оборудование: комплект установок фирмы «DISCO»,  установка автоматической инспекции пластин и кристаллов по внешнему виду Falcon S20PD.

Технические характеристики:

- диаметр пластин до 200 мм;
- разделение ультратонких пластин по технологии TAIKO;
- толщина пластин от 100 мкм до 680 мкм +/-20 мкм;
- ширина разделительных дорожек – 100 мкм (80 мкм min);
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 20,0 х 20,0 мм.

Технология монтажа кристаллов на адгезионные клеи:

Оборудование: Автоматическая система монтажа компонентов TRESKY T-6000, Datacon 2200 evoPLUS, ультразвуковой микроскоп Sonoscan Gen 6.

Технические характеристики:

- точность монтажа кристаллов +/-5 мкм;
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 15,0 х 15,0мм;
- токопроводящие, токоизоляционные адгезивы;
- контроль качества клеевого шва методом ультразвукового сканирования.

Технология сварки внутренних токоведущих выводов:

Оборудование: Установки ультразвуковой сварки:  BONDGET BJ-820, Delvotek 64000 G5, BONDGET BJ-939, установка тестирования микросоединений DAGE 4000 PXY.

Технические характеристики:

- метод присоединения:
- ультразвуковая сварка (клин-клин);
- термокомпрессионная сварка (клин-клин, шарик-клин);
- материал проволоки: Al, Au, Pt;
- диаметр проволоки: от 20 до 700 мкм;
- минимальные размеры контактных площадок: 60 х 70 мкм;
- количество уровней разварки: 3-4 уровня;
- количество перемычек: до 10000 (задается конструкцией прибора);
- точность присоединения: +/- 3мкм;
- встроенная система контроля качества приварки.

Технология герметизации ИМС шовно-роликовой сваркой:

Оборудование: Установка герметизации шовно-роликовой сваркой  AF1250 в атмосферной камере MX2000. Комбинированный комплекс герметизации Pyramid HPS 9206M. Установка контроля герметичности  UL 1000. Установка контроля герметичности WEB6000 на большие течи.

Технические характеристики:

- герметизация ИМС в металлокерамических корпусах методом шовной роликовой сваркой в азотной среде с контролируемой точкой росы не ниже – 65 ºС;
- контроль герметичности по эквивалентному нормализованному потоку утечки  гелия 6,65×10-3Па•см-3/с;
- контроль герметичности на большие течи.

В настоящее время внедряются технологии сборки изделий электронной техники типа «система в корпусе».

Технология монтажа кристаллов методом «flip-chip»:

Оборудование: SET FC-150

Технические характеристики:

- сборка стеков от 2-х до 6-и кристаллов:
- монтаж типа «кристалл–на–кристалле»; «кристалл–на–пластине»; «кристалл на плате»;
- точность монтажа кристаллов +/-1мкм;
- размеры кристаллов: от 0,4 х 0,4 до 15,0 х 15,0мм;
- шаг контактных площадок: 90, 100,120 мкм;
- материал шариков/столбиков: Cu + SnAg (припойная шапка); Au; SnAgCu; PbSn
- размеры шариков/столбиков: высота от 14 до 100 мкм;  диаметр от 25 до 100 мкм;
- размеры шариков/столбиков:  диаметр от 100 до 600 мкм.

Технология монтаж припойных шариковых выводов:

Оборудование: PacTech SB2-Jet

Технические характеристики:

- монтаж припойных шариковых выводов на контактные площадки кристаллов, подложек, оснований корпусов, пластин (до 300 мм включительно)
- шаг контактных площадок: 60, 90,100,120 мкм;
- материал шариков: Cu + SnAg (припойная шапка); Au; SnAgCu; PbSn;
- размеры шариков: высота от 15 до 100 мкм;  диаметр от 80 до 100 мкм;
- размеры шариков:  диаметр от 100 до 760 мкм.

Герметизация компаундами Underfill и Dam-and-Fill:

Оборудование: Spectrum S-820

Технические характеристики:

- герметизация подкристального пространства компаундами после монтажа методом flip-chip;
- заполнение подкристальный объема после монтажа кристалла 10 мкм;
- заливка компонентов для технологии «кристалл на плате».

Технология вакуумной пайки внешних выводов (шарики, столбики):

Оборудование: VLO 20

Технические характеристики:

- контролируемый профиль оплавления (5 термопар);
- максимальная температура до 450 ºС;
- возможность оплавления в вакууме и парах муравьиной кислоты.

Сборочное производство СВЧ- биполярных, DMOS-, LDMOS-, GaN-транзисторов

СВЧ-транзисторы выпускаются в корпусах:

Типы корпусов

КТ-4-2
КТ-44
КТ-45
КТ-56
КТ-81
КТ-82
КТ-83
КТ-83А
КТ-81С
КТ-55С-1
КТ-103А-1
КТ-103А-2
КТ-102-1
КТ-57А-1
МК КТ-81А-2
МК КТ-55С-3
МК КТ-81С-2
МК КТ-127-1
МК КТ-52А-1
МК КТ-44D-1
МК КТ-81D-3

Имеющийся научно-технический задел в области разработок и освоения технологий сборок изделий микроэлектроники позволил освоить и внедрить следующие базовые технологии:

Тестирование кристаллов СВЧ-транзисторов в составе пластины

Оборудование:
- Тестер Гамма-188
- Многозондовая установка ЭМ-6520.

Технические характеристики процесса
Тестирование кристаллов на соответствие параметрам:
- начальный ток стока;
- остаточный ток стока;
- пороговое напряжение;
- максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток.

Cквозное разделение пластин на кристаллы на адгезионном спутнике-носителе, подготовка кристаллов к сборке

Оборудование: 
- Установка монтажа полупроводниковых пластин УМП-1
- Установка резки полупроводниковых пластин ЭМ-2075
- Установка отмывки полупроводниковых пластин ЭМ-3027
- Установка раскладки кристаллов

Технические характеристики процесса:
- диаметр пластин до 200 мм.
- разделение ультратонких пластин по технологии TAIKO.
- толщина пластин от 100 мкм до 680 мкм.
- минимальная ширина разделительных дорожек – 80 мкм.

Технология монтажа Si-кристаллов методом пайки

Оборудование:
- Полуавтомат ЭМ-УП-5М
- Полуавтомат PP-5
- Полуавтомат TRESKY T-3202
- Автомат Palomar 3500
- Автомат Palomar 3800
- Автомат Palomar 3880

Технические характеристики процесса:
- автоматический монтаж кристаллов сложноинтегрированных полупроводниковых приборов методом контактно-реактивной пайки с образованием эвтектического сплава золото-кремний.
- точность посадки кристаллов ± 5 мкм.
- монтаж до 12 кристаллов в корпус.

Технология монтажа GaN-кристаллов методом пайки

Оборудование:
Автомат Palomar 3880

Техническая характеристика процесса:
- монтаж GaN-кристаллов с подложкой из SiC методом пайки на припой ПЗЛО-80 с обеспечением требуемого термопрофиля пайки.

Монтаж внутренних проволочных выводов

Оборудование:
- Установка термоультразвуковой сварки Delvotec 5630
- Установка термоультразвуковой сварки в глубоком колодце Delvotec 5632
- Высокопроизводительная установка термоультразвуковой сварки Delvotec G5
- Высокопроизводительная установка термоультразвуковой сварки в глубоком колодце Delvotec G5DA

           

Технические характеристики процесса:
- автоматическая приварка внутренних токоведущих выводов с возможностью формирования петель требуемой формы методом ультразвуковой и  термозвуковой сварки.
- работа алюминиевой и золотой проволокой диаметром 17-75 мкм.
- точность приварки выводов 3 мкм при 3σ.
- автоматический контроль процесса сварки в реальном времени.

Технология герметизации СВЧ транзисторов

Оборудование:
- термостолы «Термопро».
- полуавтоматические установки герметизации ITS-500.
- Сушильный шкаф SNOL 60/300.
- Установка опрессовки приборов в гелии MSH Press 6.
- Гелиевый течеискатель Inficon UL-1000/
- Установка контроля герметичности пузырьковым методом Trio-tech G-254A.

 Технические характеристики процесса:
- герметизация металлокерамических корпусов СВЧ-транзисторов клеем ПЭК-30 (разработка НИИЭТ).
- герметизация металлокерамических корпусов СВЧ-транзисторов крышками с предварительно нанесенным клеем.

Маркировка полупроводниковых приборов

Оборудование: 
- установка лазерной маркировки FMark-20 RL

Технические характеристики процесса:
- Иттербиевый волоконный лазер.
- Размер зоны обработки 110х110 мм.
- Скорость обработки от 1 до 4500 мм/сек.
- Размер пятна в зоне обработки - 40 мкм.

Видео-презентация
Заказать услугу
Примеры работ